Исследовано влияние поликристалличности структуры полупроводникового соединения PbTe по сравнению с монокристаллом на релаксации концентрации Delta N неравновесных носителей заряда (ННЗ). Для пленок на ситалле корреляционным методом измеренное время релаксации ННЗ менее 17 пс. Показано, что в сильновозбужденных пленках (Delta N>~= 10¹⁷ см^-3) независимо от типа их подложек доминирующим механизмом рекомбинации ННЗ является межзонная оже-рекомбпнация в объеме кристаллитов с коэффициентом gamma_A=5· 10^-28 см⁶/с, который в 2 раза больше, чем в монокристаллах PbTe. Определено влияние термообработки пленок на рекомбинацию ННЗ. Предложена модель рекомбинации носителей заряда в сильновозбужденных пленках PbTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.