"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок PdTe на неоднородных и ориентирующих подложках
Вайткус Ю., Томашюнас Р., Тумкявичюс К., Пятраускас М., Мастейка Р.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Исследовано влияние поликристалличности структуры полупроводникового соединения PbTe по сравнению с монокристаллом на релаксации концентрации Delta N неравновесных носителей заряда (ННЗ). Для пленок на ситалле корреляционным методом измеренное время релаксации ННЗ менее 17 пс. Показано, что в сильновозбужденных пленках (Delta N>~= 1017 см-3) независимо от типа их подложек доминирующим механизмом рекомбинации ННЗ является межзонная оже-рекомбпнация в объеме кристаллитов с коэффициентом gammaA=5· 10-28 см6/с, который в 2 раза больше, чем в монокристаллах PbTe. Определено влияние термообработки пленок на рекомбинацию ННЗ. Предложена модель рекомбинации носителей заряда в сильновозбужденных пленках PbTe.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.