Экспериментально с помощью электронно-зондового анализа в режиме тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ), исследованы особенности медленной деградации непрерывных инжекцнонных гетеролазеров в системе GaAs-Ga_1-xAl_xAs с оксидной изоляцией полосковой области протекания тока, происходящей со скоростью 0.05-0.2 кч^-1 при комнатной температуре. Установлено, что в бездислокационных лазерах деградационный процесс начинается с зарождения темных линии < 110> вдоль краев полосковой области, а заканчивается образованием темных пятен и линий < 100> в пределах полосковой области. Путем решения диффузионно-дрейфового уравнения для точечных дефектов, учитывающего рекомбинационно-стимулированную генерацию дефектов, показано, что образование темных линий на ТИЭЗ изображениях связано с ускоренной миграцией точечных дефектов в неоднородном поле механических напряжений, вводимом в лазерный кристалл ступеньками в оксидном слое, пространственным разделением межузельных и вакансионных дефектов и их накоплением в областях экстремумов энергии взаимодействия точечных дефектов с упругим полем механических напряжений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.