"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние высокотемпературной термообработки на рекомбинационные и структурные свойства полуизолирующего арсенида галлия
Борисова Т.Л., Власукова Л.А., Нятикшис В.В., Норейка Д.П., Пятраускас М.Б., Станев Н., Утенко В.И., Хитько В.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Исследовано влияние высокотемпературной термообработки (ВТО) на рекомбинационные и структурные свойства полуизолирующего GaAs, выращенного методом Чохральского к легированного Cr или Cr2O3. Установлено, что времена жизни носителей заряда tauR коррелируют с плотностью дислокаций, а увеличение значения tauR, после ВТО может быть обусловлено уменьшением числа центров безызлучательной рекомбинации за счет генерирования их дислокациями. Определена энергия активации отжига рекомбинационного центра--- Ea=(0.1±0.02) эВ.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.