Измерены спектры фотоотклика V_ф(homega) многослойных с квантовыми ямами (MQW) p⁺-i-n⁺-структур GaAs-Al_0.3Ga_0.7As в диапазоне энергий квантов (homega) возбуждающего, света от 1.4 до ~2.2 эВ при температурах ~300 и ~80 K. Определена удельная вольтовая чувствительность. Изучено влияние на спектры V_ф (homega) постоянного напряжения смещения. Обнаружено обращение экситонных пиков в спектрах фотоотклика и предложена модель данного физического процесса. Показана возможность использования зависимостей V_ф(homega) для исследования энергетического спектра квазидвумерных экситонных состояний, определения толщины квантовых ям и планарной неоднородности внутреннего электрического поля в MQW p⁺-i-n⁺-структурах. В вольт-амперных характеристиках, полученных при освещении структур, обнаружены области резкого изменения дифференциальной проводимости, а также динамической бистабильности, обусловленные резонансно-туннельной фото-инжекцией неравновесных носителей и наблюдаемые как при T~=80 K, так и при комнатной температуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.