Изучена эволюция прямой я обратной ветвей ВАХ, напряжения емкостной и токовой отсечек и высоты потенциального барьера при переходе барьерного контакта GaAs-Ni в омический под воздействием лазерного излучения. Установлено, что омический контакт формируется в два этапа. На первом этапе происходят изменения в объеме полупроводника при неизменности высоты барьера, а на втором - на границе металл-полупроводник, приводящие к устранению барьера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.