Теоретически исследована частота винтовой неустойчивости на пороге возбуждения в несобственной плазме полупроводника с неоднородным и несимметричным распределением носителей заряда для случая произвольной величины градиента плотности. Дисперсионное соотношение в данных условиях имеет решение с нулевой частотой (Re omega=0), что приводит к новым особенностям осциллисторного эффекта вблизи пороговых электрического и магнитного полей - самостабилизации винтовой волны. Получены экспериментальные результаты, подтверждающие выводы теории. Показано, что в результате зондовых исследований распределения носителей заряда в образцах n-Ge появляется стационарная винтовая структура плотности плазмы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.