"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
Звягин И.П., Курова И.А., Мелешко Н.В., Ормонт Н.Н.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Исследованы зависимости стационарной фотопроводимости sigmas в нелегированных пленка: a-Si : H от температуры и интенсивности освещения. Обсуждены механизмы образована и аннигиляции фотоиндуцированных оборванных связей, определяющие наблюдаемые особенности поведения sigmas.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.