"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диффузионное легирование пленок a-Si : H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
Аблова М.С., Куликов Г.С., Першеев С.К., Ходжаев К.X.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

На основе изучения в интервале температур 290-525oC диффузии и растворимости примесей олова, железа и серебра в пленках аморфного гидрогенизпрованного кремния (a-Si : H) определен режим диффузионного легирования, получены диффузионно легированные этими металлами пленки a-Si : H и исследована их темновая и фотопроводимость. Диффузионное легирование металлами приводит к появлению больших энергий активации электропроводности (до 1.4 эВ, т. е. EsigmaA>Ehnug/2). не типичных для собственного материала. Циклический нагрев легированных пленок в интервале температур 20-200oC приводит к постепенному возврату их электрических свойств к свойствам исходного a-Si : H, что подобно явлению распада пересыщенного твердого раствора в кристаллах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.