"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности контакта полупроводник-газовый разряд при малых межэлектродных расстояниях
Парицкий Л.Г.1, Хайдаров 3.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Определена автоэлектронная эмиссия с реальной поверхности полуизолирующего арсенида галлия. Автоэмиссионный ток контролируется сопротивлением полупроводника и определяет пространственную стабилизацию разряда при малых межэлектродных промежутках (менее 20 км) в системе полупроводник-газовый разряд путем нейтрализации объемного заряда положительных ионов, тем самым препятствуя переходу таунсендовского разряда в тлеющий.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.