"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
"Новые доноры" в термообработанном кремнии с изоэлектронной примесью германия
Емцев В.В.1, Оганесян Г.А.1, Шмальц К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Исследованы процессы образования "новых доноров" при T=600oC в кремнии, выращенном по методу Чохральского и легированном изоэлектронной примесью германия. Показано, что примесь германия сильно подавляет образование двойных термодоноров с уровнями Ec-0.07 и Ec-0.15 эВ. Образование других донорных центров с уровнями Ec-0.03 и Ec-0.08 эВ подавляются в меньшей степени. Концентрации этих донорных центров оказались существенно различными, и поэтому сделано заключение о том, что они принадлежат термодонорам различной природы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.