Изучалась внутренняя структура стационарных нитей тока в Si<Zn>, которые генерируются в области сверхлинейности глобальной ВАХ. Пространственные распределения тока в нитях измерялись с помощью фотометрирования свечения газа при пропускании тока через систему "полупроводник-газоразрядный промежуток". Метод обеспечивает пространственное разрешение ~10 мм^-1 и дает возможность количественно характеризовать распределения с перепадом плотности тока >~=10². Получены данные о трансформации формы и амплитудных значений плотности тока в нитях в области гистерезиса ВАХ. Результаты работы свидетельствуют в пользу диффузионного механизма неустойчивости, которая приводит к расслоению тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.