"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Развитие неоднородностей состава при послойном росте эпитаксиальной пленки твердого раствора полупроводников AIIIBV
Малышкин В.Г.1, Щукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Изучалась возможность образования и последующего развития флуктуаций состава при послойном росте эпитаксиальной пленки с учетом упругого взаимодействия. Показано, что при послойном росте твердого раствора возникает кинетическая неустойчивость, при которой дальнодействующие упругие напряжения способствуют возникновению и последующему усилению пространственной модуляции состава. Этим кинетическая неустойчивость принципиально отличается от термодинамической неустойчивости, при которой упругие напряжения могли только стабилизировать твердый раствор. Показано, что для существования кинетической неустойчивости достаточно диффузии в очень тонком приповерхностном слое толщиной всего один-два монослоя. Аналитически найдена температура кинетической неустойчивости Tkc, которая больше термодинамической критической температуры спинодального распада T0c, вычисленной без учета упругой энергии. Найдена эволюция профиля твердого раствора в процессе роста эпитаксиального слоя. Показано, что при T<Tkc происходит экспоненциальное усиление неоднородностей состава по мере увеличения толщины эпитаксиального слоя h. Найденная Tkc позволяет объяснить ряд экспериментов, в которых наблюдались неустойчивости при высоких температурах, когда твердый раствор должен быть термодинамически стабилен.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.