"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Новые типы солнечных элементов на основе структур с переменной шириной запрещенной зоны
Ребане Ю.Т.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Предложены два новых типа солнечных элементов, в которых используется полупроводник с переменной шириной запрещенной зоны. Теоретически исследованы вольт-амперные характеристики предложенных приборов и оценены их предельные эффективности для идеального случая, когда температура приборов T=0. В первом типе приборов для разделения носителей заряда используется магнитное поле. Эффективность таких солнечных элементов в идеальном случае стремится к термодинамическому пределу, если модули недиагональных элементов магнитопроводимостей для электронов и дырок равны, а величина внешнего магнитного поля достаточно велика. Во втором типе приборов для разделения зарядов предлагается использовать выполненную легированием систему потенциальных ям для носителей p- и отдельно n-типа проводимости, расположенных под углом 90o друг к другу. Показано, что такое легирование в виде нитей можно использовать для разделения носителей вместо внешнего магнитного поля без потерь в эффективности преобразования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.