"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Самокомпенсация в области собственной проводимости CdTe <Cl> в условиях двухфазного равновесия системы кристалл-газ
Матвеев О.А.1, Терентьев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Показано, что для проведения высокотемпературного отжига полуизолирующих кристаллов CdTe <Cl> под управляемым давлением паров Cd необходимо строгое соблюдение двухфазного равновесия кристалл-газ с целью исключения даже незначительного изменения концентрации собственных дефектов в кристалле на стадии его нагревания. Разработана методика отжига таких кристаллов при температурах 900-980oC и медленном охлаждении до комнатной температуры под управляемым давлением паров кадмия. Полученные результаты исследования самокомпенсации в условиях двухфазного равновесия от давления паров кадмия, температуры отжига и концентрации хлора позволили достичь точности компенсации, близкой к предельной, что дало возможность впервые получить зависимость инверсии типа проводимости ni-pi от давления паров кадмия. Показано, что в области инверсии типа проводимости на уровне концентраций n(p)~=107 см-3 происходит наиболее полное взаимодействие дефектов с образованием электрически нейтральных ассоциатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.