Показано, что для проведения высокотемпературного отжига полуизолирующих кристаллов CdTe <Cl> под управляемым давлением паров Cd необходимо строгое соблюдение двухфазного равновесия кристалл-газ с целью исключения даже незначительного изменения концентрации собственных дефектов в кристалле на стадии его нагревания. Разработана методика отжига таких кристаллов при температурах 900-980^oC и медленном охлаждении до комнатной температуры под управляемым давлением паров кадмия. Полученные результаты исследования самокомпенсации в условиях двухфазного равновесия от давления паров кадмия, температуры отжига и концентрации хлора позволили достичь точности компенсации, близкой к предельной, что дало возможность впервые получить зависимость инверсии типа проводимости n_i-p_i от давления паров кадмия. Показано, что в области инверсии типа проводимости на уровне концентраций n(p)~=10⁷ см^-3 происходит наиболее полное взаимодействие дефектов с образованием электрически нейтральных ассоциатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.