"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инверсная заселенность уровней пространственного квантования в двумерных системах InAs/AlSb/GaSb
Васильев Ю.Б.1, Сучалкин С.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Анализируются возможности использования InAs/GaSb/AlSb-структур для получения стимулированного излучения на межподзонных переходах в квантовой яме. Приводятся численные оценки коэффициента усиления и времен релаксации на межподзонных переходах в магнитном поле, перпендикулярном поверхности структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.