Анализируются возможности использования InAs/GaSb/AlSb-структур для получения стимулированного излучения на межподзонных переходах в квантовой яме. Приводятся численные оценки коэффициента усиления и времен релаксации на межподзонных переходах в магнитном поле, перпендикулярном поверхности структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.