"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Роль кислорода в нестабильности углеродсодержащих радиационных дефектов в кремнии
Вербицкая Е.М.1, Еремин В.К.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1, Ли 3.1, Шмидт Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.

Исследовано поведение глубоких уровней углеродсодержащих радиационных дефектов в p+-n-структурах на основе высокоомного FZ-Si. Дефекты вводились при облучении alpha-частицами. Измерение параметров центров выполнено методом DLTS. Установлена кинетика отжига междоузельного углерода. Показана определяющая роль кислорода, вводимого в высокоомный Si при длительном высокотемпературном термическом окислении в процессе создания детекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.