Исследовано поведение глубоких уровней углеродсодержащих радиационных дефектов в p⁺-n-структурах на основе высокоомного FZ-Si. Дефекты вводились при облучении alpha-частицами. Измерение параметров центров выполнено методом DLTS. Установлена кинетика отжига междоузельного углерода. Показана определяющая роль кислорода, вводимого в высокоомный Si при длительном высокотемпературном термическом окислении в процессе создания детекторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.