Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1995, выпуск 9 » Статья стр. 1554
<<<>>>
Исследование параметров, характеризующих электронно-дырочное рассеяние в полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции
Мнацаканов Т.Т.1, Поморцева Л.И.1, Шуман В.Б.1, Гук Е.Г.1
1Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
PDF версия
Предложен метод определения параметров электронно-дырочного рассеяния в непрямозонных полупроводниках в условиях низкого уровня инжекции носителей заряда. Метод основан на измерении вольт-амперных характеристик диодных или транзисторных структур в специально подобранном диапазоне плотностей тока. Предложенный метод использован для исследования параметров электронно-дырочного рассеяния в кремнии. Для измерений использовались диодные p+-n-n+-структуры. Полученные результаты свидетельствуют о возможности полного увлечения электронами неосновных дырок в материале n-типа при уровне легирования Nd>1017 см-3 уже при комнатных температурах T=21oC.
  1. N.H. Fletcher. Proc. IRE, 45, 862 (1957)
  2. E.G.S. Paige. Phys. Chem. Sol., 16, 207 (1960)
  3. T.P. McLean, E.G.S. Paige. J. Phys. Chem. Sol., 16, 220 (1960)
  4. T.P. McLean, E.G.S. Paige. J. Phys. Chem. Sol., 18, 139 (1961)
  5. L.V. Davies. Nature. 194, 762 (1962)
  6. З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
  7. F. Danhauser. Sol. St. Electron., 15, 1371 (1972)
  8. J.R. Krause. Sol. St. Electron., 15, 1376 (1972)
  9. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. ЖЭТФ, 74, 261 (1978)
  10. J.R. Mayer. Phys. Rev. B, 21, 1554 (1980)
  11. V. Grivitskas, M. Willander, J. Vaitkus. Sol. St. Electron., 27, 565 (1984)
  12. И.И. Бойко, О.Г. Балаев. ФТП, 17, 745 (1983)
  13. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. ФТП, 18, 1293 (1984)
  14. W.P. Dumke. Sol. St. Electron., 28, 183 (1985)
  15. T.T. Mnatsakanov. Phys. St. Sol. (b), 143, 225 (1987)
  16. W. Hansch, G.D. Mahan. Phys. Chem. Sol., 44, 663 (1983)
  17. R.A. Hopfel, J. Sha, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 56, 2736 (1986)
  18. R.A. Hopfel, J. Sha, P.A. Wolff, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 49, 572 (1986)
  19. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 23, 1658 (1989)
  20. T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
  21. R.A. Kokosa. Proc. IEEE, 55, 1389 (1967)
  22. Г.М. Авакьянц, Е.В. Лазарев. Изв. АН АрмССР. Физика, 4, 89 (1969)
  23. И.В. Грехов, А.В. Отблеск. РиЭ, 19, 1483 (1974)
  24. И.В. Грехов, А.В. Отблеск. ФТП, 8, 1408 (1974)
  25. M.S. Adler. IEEE Trans. Electron. Dev., 25, 16 (1978)
  26. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ЖТФ, 56, 1827 (1986)
  27. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  28. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. Изв. вузов СССР. Радиэлектроника, 30, 30 (1987)
  29. Б.Н. Грессеров, Т.Т. Мнацаканов. ФТП, 24, 1668 (1990)
  30. W. Shockley. Bell Syst. Techn. J., 28, 435 (1949)
  31. С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973) с. 95
  32. J.W. Slotboom, H.C. de Greaf. Sol. St. Electron., 19, 857 (1976)
  33. Т.Т. Мнацаканов, Л.И. Поморцева, Д.Г. Яковлев. ФТП, 28, 1927 (1994)
  34. А. Блихер. \it Физика силовых биполярных и полевых транзисторов (Л., Энергоатомиздат, 1986) с. 79
  35. Т.Т. Мнацаканов, И.Л. Ростовцев, Н.И. Филатов. РиЭ, 37, 296 (1992)
  36. D. Lax, S.T. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  37. B.R. Gossick. Phys. Rev., 91, 1012 (1953)
  38. H.J. Kuno. IEEE Trans. Electron. Dev., 11, 8 (1964)
  39. P.G. Wilson. Sol. St. Electron., 10, 145 (1967)
  40. J.C. Kao, J.R. Davies. IEEE Trans. Electron. Dev., 17, 652 (1970)
  41. Б.И. Григорьев, В.В. Тогатов. РиЭ, 26, 1063 (1980)
  42. M. Derdouri, P. Leturca, A. Munoz-Yague. IEEE Trans. Electron. Dev., 27, 2097 (1980)
  43. N.D. Arora, J.R. Hauser, D.J. Roulston. IEEE Trans. Electron. Dev., 29, 292 (1982)
  44. J.G. Fossum, R.P. Mertens, D.S. Lee, J.F. Hijs. Sol. St. Electron., 26, 569 (1983)
  45. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.Б. Шуман. Письма ЖТФ, 6, 689 (1980)
  46. C. Jacoboni, C. Canali, G. Ottaviani, Alberigi Quaranta. Sol. St. Electron., 20, 77 (1977)
  47. S.M. Sze, J.C. Irvin. Sol. St. Electron., 11, 599 (1968)
  48. W.R. Thurber, R.L. Mattis, Y.M. Liu, J.J. Filliben. J. Electrochem. Soc., 127, 1807 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme