Исследована эволюция примесно-дефектной системы специально не легированного CdTe n- и p-типа, содержащего доминирующие остаточные примеси I группы (Li, Cu) в донорном или акцепторном состоянии при его хранении на воздухе при комнатной температуре в течение 6 месяцев. Показано, что профили интенсивности низкотемпературной фотолюминесценции, измеренные по толщине образца CdTe после его кратковременного отжига в парах кадмия или в вакууме, существенно изменяются со временем и могут дать информацию о процессах трансформации примесно-дефектной системы. В частности, показано, что в исследованных образцах в n-области падение интенсивности линии экситонов, связанных на нейтральных донорах, определяется уходом со временем межузельных атомов Li_i, Cu_i на стоки дефектов. В p-области падение интенсивности фотолюминесценции также связано с образованием микронеоднородностей, геттерирующих примеси. Кроме того, наблюдалась диффузия акцепторов Li _Cd, Cu _Cd и их спонтанный переход в донорные состояния Li_i, Cu_i. Сделан вывод о том, что характер эволюции примесно-дефектной системы за продолжительное время хранения образцов при комнатной температуре определяется ее исходным состоянием, полученным в результате термической обработки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.