Вышедшие номера
Расчет энергетического спектра бинарных полупроводников, легированных редкоземельными элементами
Ильин Н.П.1, Мастеров В.Ф.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

В рамках двухзонного приближения с использованием модельной функции Грина разработан метод расчета структуры примесных центров, создаваемых редкоземельными атомами, замещающими атомы металла в решетке бинарных соединений AIIIBV. Определены условия стабилизации зарядового состояния (3+) редкоземельного иона и появления уровней электронной и дырочной ловушек в запрещенной зоне полупроводника. В качестве примера рассмотрены примеси иттербия и эрбия в фосфиде индия и арсениде галлия.