"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотостимулированное усиление фононов, локализованных в двумерном электронном газе
Эпштейн Э.М.1
1Научно-исследовательский институт ''Платан'',, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Рассматриваются фононы, локализованные в двумерном электронном газе, в присутствии сильной электромагнитной волны, электрическое поле которой лежит в плоскости двумерного электронного газа. В предположении, что электромагнитная волна воздействует на фононную подсистему только через посредство двумерного электронного газа, получено дисперсионное уравнение для фононов. В условиях, когда энергия кванта электромагнитной волны велика по сравнению с энергией электронов, появляются новые (запрещенные законами сохранения в отсутствие волны) области электрон-фононного взаимодействия, в том числе области отрицательного затухания (фотостимулированного усиления) фононов.
  1. L.J. Challis, A.J. Kent, V.W. Rampton. Semicond. Sci. Technol., 5, 1179 (1990)
  2. V.A. Kochelap, O. Gulseren. Письма ЖЭТФ, 56, 93 (1992)
  3. V.A. Kochelap, O. Gulseren. J. Phys.: Condens. Matter., 5, 589 (1993)
  4. Э.М. Эпштейн, Г.М. Шмелев, Г.И. Цуркан. \it Фотостимулированные процессы в полупроводниках (Кишинев, 1987)
  5. Э.М. Эпштейн. Письма ЖЭТФ, 13, 511 (1971)
  6. Д. Пайнс. Проблема многих тел (М., 1963)
  7. F. Stern. Phys. Rev. Lett., 18, 546 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.