"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О фотолюминесценции пленок a-Si : H, легированных редкоземельными элементами
Атаев Ж.1, Васильев В.А.1, Елизаров И.В.1, Мездрогина М.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Исследовано влияние редкоземельных ионов на интенсивность фотолюминесценции аморфного гидрированного кремния. Примеси редкоземельных элементов подавляют собственную люминесценцию, создавая в щели подвижности центр безызлучательной рекомбинации. Исключение составляет Dy, введение которого в процессе осаждения пленки при концентрации 0.1 ат% приводит к возрастанию квантовой эффективности люминесценции и коренной перестройке спектров излучения. Приведена температурная зависимость интенсивности фотолюминесценции нелегированного a-Si : H и легированного ионами редкоземельных элементов.
  1. А.Р. Регель, П.П. Серегин, М.М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, М.С. Аблова, У.Ж. Абдумананов. ФТП, 22, 161 (1988)
  2. Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, М.М. Мездрогина. Письма ЖТФ, 7, 80 (1981)
  3. А.Р. Регель, У.Ж. Абдумананов, В.А. Васильев, М.М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин. ФТП, 23, 1552 (1989)
  4. R.A. Street. Adv. Phys., 30, 593 (1981)
  5. Ж. Атаев, Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук (Ашхабад, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.