Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О фотолюминесценции пленок a-Si : H, легированных редкоземельными элементами
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Исследовано влияние редкоземельных ионов на интенсивность фотолюминесценции аморфного гидрированного кремния. Примеси редкоземельных элементов подавляют собственную люминесценцию, создавая в щели подвижности центр безызлучательной рекомбинации. Исключение составляет Dy, введение которого в процессе осаждения пленки при концентрации 0.1 ат% приводит к возрастанию квантовой эффективности люминесценции и коренной перестройке спектров излучения. Приведена температурная зависимость интенсивности фотолюминесценции нелегированного a-Si : H и легированного ионами редкоземельных элементов.
- А.Р. Регель, П.П. Серегин, М.М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, М.С. Аблова, У.Ж. Абдумананов. ФТП, 22, 161 (1988)
- Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, М.М. Мездрогина. Письма ЖТФ, 7, 80 (1981)
- А.Р. Регель, У.Ж. Абдумананов, В.А. Васильев, М.М. Мездрогина, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин. ФТП, 23, 1552 (1989)
- R.A. Street. Adv. Phys., 30, 593 (1981)
- Ж. Атаев, Автореф. дис. канд. физ.-мат.наук (Ашхабад, 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
