"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Восстановление профиля изменения структуры полупроводника по толщине пластины из спектров фотолюминесценции
Маслобоев Ю.П.1, Селищев С.В.1, Терещенко С.А.1
1Московский государственный институт электронной техники,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Предлагается новый бесконтактный метод исследования пространственно неоднородных распределений характеристик материала полупроводниковых пластин в микроэлектронике, опирающийся на анализ спектров фотолюминесценции. С помощью численного моделирования показана работоспособность предложенного метода на примере восстановления профиля ширины запрещенной зоны по глубине от поверхности полупроводниковой пластины.
  1. Г.Г. Левин, Г.Н. Вишняков. \it Оптическая томография (М., 1989)
  2. J. Bajaj, W.E. Tennant. J. Cryst. Growth, 103, 170 (1990)
  3. I.E. Bondarenko, S.K. Likharev, E.I. Rau, E.B. Yakimov. J. Cryst. Growth, 103, 197 (1990)
  4. Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. \it Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов (Киев, Техника, 1986)
  5. В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 14, 1350 (1980)
  6. Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. \it Варизонные полупроводники (Киев, Вища шк., 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.