Вышедшие номера
Энергетическая релаксация горячих носителей в полупроводниковой короткопериодной сверхрешетке
Грешневикова О.Э.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Некрасов В.Ю.1, Трухин В.Н.1, Ярошецкий И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Исследована энергетическая релаксация неравновесных носителей заряда в короткопериодной полупроводниковой сверхрешетке. Путем обработки спектров поглощения исследуемых структур получена зависимость температуры электронно-дырочной плазмы от времени. Полученные результаты сопоставлены с данными по энергетической релаксации для структур с квантовыми ямами и объемного GaAs.