"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование электрофизических свойств пленок a-C : H, перспективных для защитных покрытий электрофотографических носителей информации
Кудоярова В.Х.1, Аверьянов В.Л.1, Чернышев А.В.1, Цолов М.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Проведено комплексное исследование состава, структуры и электрических свойств углеродных пленок (a-C : H) с точки зрения удовлетворения требованиям, предъявляемым к защитным покрытиям электрофотографических носителей информации. Пленки a-C : H были получены низкотемпературным осаждением тремя различными методами: магнетронным распылением графитовой мишени в аргоноводородной атмосфере, магнетронным распылением графитовой мишени в сочетании со стимулированным плазмой газофазным осаждением из смеси газов ( 10%CH4+90%Ar) и ВЧ-разложением смеси газов ( 10%CH4+90%Ar). Показано, что при низкотемпературном осаждении могут быть получены твердые алмазоподобные, высокоомные пленки a-C : H, удовлетворяющие требованиям, предъявляемым к защитным покрытиям электрофотографических носителей информации. Приводятся результаты исследований основных электрофотографических параметров электрофотографических носителей информации с защитным покрытием и без него. Установлено, что срок хранения на воздухе и прочностные свойства электрофотографических носителей информации с защитным покрытием из a-C : H возрастают.
  1. В.Х. Кудоярова, Р.А. Каваляускас, О.И. Коньков, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, И.В. Шведков. \it Тез. докл. межд. конф. "Электрография-91" (М., 1991) с. 46
  2. Патент ФРГ DE 3821665 AI (1989)
  3. В.М. Котов, Д.А. Мкртичан, В.Л. Аверьянов, А.В. Жарких, В.А. Чернышев. \it Тез. докл. межд. конф. "Электрография-91" (М., 1991) с. 40
  4. B. Dischler, A. Bubenzer, P. Koild. Appl. Phys. Lett., 42, 636 (1983)
  5. H. Tsai, D.B. Body. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3287 (1987)
  6. И.И. Аксенов, В.Г. Падаяка, В.Е. Стрельницкий, В.Т. Толок, В.П. Зубарь, М.Ф. Семко. Сверхтвердые материалы, 1, 25 (1979)
  7. D.A. Anderson. Phil. Mag., 35, 17 (1977)
  8. S. Berg, L.P. Anderson. Thin Sol. Films, 58, 117 (1979)
  9. K. Enke, H. Dimigen, H. Hubsch. Appl. Phys. Lett., 36, 291 (1980)
  10. D.R. McKenzie, R.C. McPhedran, N. Savvides, D.J.H. Cockaune. Thin Sol. Films, 108, 247 (1983)
  11. Ch. Wyon, R. Gillet, L. Lombard. Thin Sol. Films, 122, 203 (1984)
  12. F.W. Smith. J. Appl. Phys., 55, 764 (1984)
  13. J. Wagner, P. Lautenschiager. J. Appl. Phys., 59, 2044 (1986)
  14. J.W. Zou, K. Reichelt, K. Schmidt, B. Dischler. J. Appl. Phys., 65, 3914 (1989)
  15. G.M. Gusinskii, I.V. Kudryavtsev, V.Kh. Kudoyarova, V.O. Naidenov, L.A. Rassadin. Semicond. Sci. Techn., 7, 881 (1992)
  16. K. Schmidt, K. Reichelt, B. Strizker, J. Zou. Fresenius Z. Anal. Chem., 333, 326 (1989)
  17. G. Foti, J.W. Mayer, E. Rimini. In: \it Ion Beam Handbook for Material Analysis, ed. by J.W. Mayer, E. Rimini (Acad. Press. Inc., N.Y., 1977) P. 1, P. 21
  18. B. Dischler, A. Bubenser, P. Kolid. Sol. St. Commun., 48, 105 (1983)
  19. S. Craig, G.L. Harding. Thin Sol. Films, 97, 345 (1982)
  20. R.O. Dillon, J.A. Woollam. Phys. Rev. B, 29, 3482 (1984)
  21. H. Shimizu, S. Nakao, H. kusakabe, M. Noda. J. Non-Cryst. Sol., 114, 196 (1989)
  22. J. Wagner, M. Ramsteiner, Ch. Wild, P. Koidl. Phys. Rev. B, 40, 1817 (1989)
  23. F. Tuinstra, J.L. Koenig. J. Chem. Phys., 53, 1126 (1970)
  24. J.S. Ma, H. Kawarada, T. Yonehara, J. Suzuki, Y. Yokota, A. Hiraki. J. Cryst. Growth, 99, 1206 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.