"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кислород в люминесценции ZnSe<Te>
Морозова Н.К.1, Назарова Л.Д.1, Каретников И.А.1, Галстян В.Г.1, Гальчинецкий Л.П.1, Рыжиков В.Д.1, Голованова О.Р.1
1Московский энергетический институт (Технический университет),, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Обнаружено влияние легирования теллуром на растворимость кислорода в монокристаллах ZnSe<Te>, выращенных из расплавов. Это определяет их оптические свойства. Показано, что в зависимости от отношения [Te]/[O] при избытке цинка возможно образование различных типов комплексов O-Te - собственных точечных дефектов. На основании результатов исследования оптических свойств микроструктуры, с учетом равновесия собственных точечных дефектов обсуждается природа центров свечения в ZnSe<Te> (O, Zn) (полос ВЕ, 470-490, 550, 635, 720 и 1300 нм).
  1. А.Ю. Наумов, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий и др. ФТТ, 29, 377 (1987)
  2. В.Д. Рыжиков. \it Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений A^IIB^VI. \it Получение, свойства, применение (М., НИИТЭХИМ, 1989)
  3. А.Ю. Наумов, С.А. Пермогоров, Т.Б. Попова и др. ФТП, 21, 350 (1987)
  4. В.Д. Рыжиков, В.И. Гаврюшин, А. Казлаускас и др. ФТП, 25, 841 (1991)
  5. Л.П. Гальчинецкий, И.А. Каретников, В.Е. Мащенко и др. ЖПС, 58, 488 (1993)
  6. A. Naumov, H. Stanzl. J. Appl. Phys., 74, 6178 (1993)
  7. О.В. Вакуленко, В.С. Лысый, О.П. Мельничук и др. ЖПС, 53, 673 (1990)
  8. J.D. Cuthbert, D.G. Thomas. J. Appl. Phys., 39, 1573 (1968)
  9. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. \it Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, 1984)
  10. A. Abdel-Kaden, F.J. Bryant, J.H.C. Hogg. Phys. St. Sol., 81, 333 (1984)
  11. И.В. Акимова, А.В. Ахенян, В.И. Козловский и др. ФТТ, 27, 1734 (1985)
  12. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов, В.Д. Рыжиков и др. \it Селенид цинка. Получение и оптические свойства (1992)
  13. М.К. Шейнкман, И.Б. Ермолович, Г.Л. Беленький. ФТП, 10, 2628 (1968)
  14. В.С. Зимогорский, Н.К. Морозова, Н.А. Караванов. Новости ИАИ. Информ. бюл., \it1, 21 (1989)
  15. Е.К. Лисецкая, Автореф. канд. дис. (Харьков, 1990)
  16. Н.К. Морозов, Л.Д. Назарова, К.Н. Бутнев. \it Тез. докл. 1 межд. конф. по материаловедению алмазоподобных полупроводников (Черновцы, 1994) т. 1, с. 115
  17. М.П. Кулаков, В.Д. Негрий. Неорг. матер., 26, 2280 (1990)
  18. K. Akimoto, T. Miyajima. Y. Mori. Phys. Rev. B, 39, N5, 3138 (1989)
  19. K. Akimoto, H. Okuyama, M. Tkeda, Y. Mori. Appl. Phys. Lett., 60, 91 (1992)
  20. F.J. Bryant, P.S. Manning. J. Physica C, 5, 1914 (1972)
  21. А.П. Оконечников, В.М. Лифенко, И.Н. Кассандров, Ф.Ф. Гаврилов. ЖПС, 1994 (в печати)
  22. D. Lee, A. Mysyrowicz, A.V. Nurmikko. Phys. Rev. Lett., 58, 1475 (1987)
  23. S. Fujita, A. Tanade, T. Kinoshita. J. Cryst. Growth, 101, 48 (1990); J. Cryst. Growth, 101, 91 (1990)
  24. М.Е. Агельманов, А.Н. Георгобиани, З.П. Илюхина и др. Неорг. матер., 25, 731 (1989)
  25. M. Migita, A. Taike, M. Shiiki. J. Cryst. Growth, 101, 835 (1990); J. Cryst. Growth, 101, 425 (1990); J. Cryst. Growth, 101, 305 (1990)
  26. M. Yamaguchi, A. Yamamoto, M. Kondo. J. Appl. Phys., 48, 5237 (1977)
  27. Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. \it Сульфид цинка. Получение и оптические свойства (1987)
  28. D.J. Thomas, J.J. Hopfield, G.J. Frosch. Phys. Rev. Lett., 15, 857 (1965)
  29. K.M. Lee, Le Si Dang, G.D. Watkins. In: \it Defects and Irradiation Effects in Semiconductors 1980 [Inst. Phys. Conf. Ser. N59 (London, 1981) p. 353]
  30. В.В. Батавин, З.Ф. Сальник. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18, 185 (1982)
  31. В.Н. Мартынов, Е.С. Волкова, В.И. Гринев. \it Тез. докл. 1 межд. конф. по материаловедению алмазоподобных и халькогенидных полупроводников (Черновцы, 1994) т. 1, с. 157

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.