Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение халькопиритных пленок CuGa_xIn_{1- x}Se₂ импульсным лазерным испарением

Гременок В.Ф.¹, Киндяк В.В.¹, Зарецкая Е.П.¹, Киндяк А.С.¹, Викторов И.А.¹, Боднарь И.В.¹, Рудь Ю.В.²

¹Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Импульсным лазерным испарением получены стехиометричные, высокоориентированные пленки CuGa_xIn_1-xSe₂ (x=0,0.1,0.2,0.5,0.6,1). Установлено, что они, как и объемные монокристаллы, обладают высоким коэффициентом поглощения (alpha=10⁴-5· 10⁵ см^-1), являются прямозонными полупроводниками и проявляют вблизи фундаментального края поглощения сложную структуру, характерную для кристаллов упорядоченных соединений I-III-VI₂.

\it Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т.Каутов (М., Мир, 1988)
W. Horig, H. Neuman, B. Skuman, C. Kuhn. Phys. St. Sol. (b), 85, K57 (1978)
Reddy K.T. Ramakrichna, Reddy P. Jayarama. J. Mater. Sci. Lett., 8, 110 (1989)
H. Neuman, B. Perlt, N.A.K. Adbul-Husuein, R.D. Tomlimson, A.E. Hill. Cryst. Res. Technol., 27, 469 (1982)
J.R. Tuttle, D. Albin, R.I. Matson, R. Noufi. J. Appl. Phys., 6, 4406 (1986)
Y. Aparma, R.S. Reddy, M.B. Srinivasulu, Reddy P. Jayarama. Physica Scripta, 44, 310 (1991)
T. Yamaguchi, J. Matsufusa, A. Yoshida. Japan. J. Appl. Phys., 31, L703 (1992)
I.V. Bodnar, V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, I.A. Victorov. Thin Sol. Films, 207, 54 (1992)
В.Ф. Гременок, Е.П. Зарецкая, В.В. Киндяк, А.С. Киндяк, И.В. Боднарь, И.А. Викторов. Письма ЖТФ, 20, 49 (1994)
I.V. Bodnar, A.P. Bologa. Crys. Res. Techol., 17, 339 (1982)
V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, I.V. Bodnar, I.A. Victorov. Japan. J. Appl. Phys., 32, Suppl. 3, 90 (1993)
В.В. Киндяк, А.С. Киндяк, В.Ф. Гременок, И.В. Боднарь, Ю.В. Рудь, Г.А. Медведкин. ФТП, 27, 1154 (1993)
V.V. Kindyak, A,S, Kindyak, V.F. Gremenok, I.V. Bodnar, Yu.V. Rud', G.A. Medvedkin. Thin Sol. Films, 250, 33 (1994)
В.А. Чалдышев, Г.Ф. Караваев. Изв. вузов. Физика, N 5, 103 (1963)
J.L. Shay, B. Tell, H.M. Kasper, L.M. Shiavone. Phys. Rev. B, 5, 5003 (1972)
J.L. Shay, H.M. Kasper. Phys. Rev. Lett., 23, 1162 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель