Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Стриминг и дальнее ИК излучение в двумерных дырочных структурах GaAs/AlGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Исследованы магнетотранспортные свойства и дальнее ИК излучение двумерного дырочного газа в сильном электрическом поле вдоль слоев и магнитном поле поперек слоев с квантовыми ямами. Обнаружен отрицательный характер магнетосопротивления вдоль кристаллографического направления [110], а также увеличение интегральной интенсивности дальнего ИК излучения. Подобное поведение двумерного дырочного газа связывается с гофрировкой изоэнергетических поверхностей в пространстве скоростей и сильным перемешиванием дырочных квантовых подзон.
- G.A. Baraff. Phys. Rev., 133, 26 (1964)
- И.И. Восилюс, И.Б. Левинсон. ЖЭТФ, 50, 1660 (1966)
- Optical and Quat. Electron. Special Isssue, 23 (1991)
- Л.Е. Голуб, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. ФТП, 29 (1995)
- L.E. Vorobyew et al. \it Abstracts of Inv. Lect. and Contr. Pap. (St. Petersburg, Russia, 1994) p. 17
- Л.Г. Герчиков, А.В. Субашиев. ФТП, 25, 231 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
