"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Стриминг и дальнее ИК излучение в двумерных дырочных структурах GaAs/AlGaAs
Иванов Ю.Л.1, Чураков Г.В.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Исследованы магнетотранспортные свойства и дальнее ИК излучение двумерного дырочного газа в сильном электрическом поле вдоль слоев и магнитном поле поперек слоев с квантовыми ямами. Обнаружен отрицательный характер магнетосопротивления вдоль кристаллографического направления [110], а также увеличение интегральной интенсивности дальнего ИК излучения. Подобное поведение двумерного дырочного газа связывается с гофрировкой изоэнергетических поверхностей в пространстве скоростей и сильным перемешиванием дырочных квантовых подзон.
  1. G.A. Baraff. Phys. Rev., 133, 26 (1964)
  2. И.И. Восилюс, И.Б. Левинсон. ЖЭТФ, 50, 1660 (1966)
  3. Optical and Quat. Electron. Special Isssue, 23 (1991)
  4. Л.Е. Голуб, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. ФТП, 29 (1995)
  5. L.E. Vorobyew et al. \it Abstracts of Inv. Lect. and Contr. Pap. (St. Petersburg, Russia, 1994) p. 17
  6. Л.Г. Герчиков, А.В. Субашиев. ФТП, 25, 231 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.