Стриминг и дальнее ИК излучение в двумерных дырочных структурах GaAs/AlGaAs
Иванов Ю.Л.1, Чураков Г.В.1, Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Исследованы магнетотранспортные свойства и дальнее ИК излучение двумерного дырочного газа в сильном электрическом поле вдоль слоев и магнитном поле поперек слоев с квантовыми ямами. Обнаружен отрицательный характер магнетосопротивления вдоль кристаллографического направления [110], а также увеличение интегральной интенсивности дальнего ИК излучения. Подобное поведение двумерного дырочного газа связывается с гофрировкой изоэнергетических поверхностей в пространстве скоростей и сильным перемешиванием дырочных квантовых подзон.
- G.A. Baraff. Phys. Rev., 133, 26 (1964)
- И.И. Восилюс, И.Б. Левинсон. ЖЭТФ, 50, 1660 (1966)
- Optical and Quat. Electron. Special Isssue, 23 (1991)
- Л.Е. Голуб, Е.Л. Ивченко, Р.Я. Расулов. ФТП, 29 (1995)
- L.E. Vorobyew et al. \it Abstracts of Inv. Lect. and Contr. Pap. (St. Petersburg, Russia, 1994) p. 17
- Л.Г. Герчиков, А.В. Субашиев. ФТП, 25, 231 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
