"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Свойства бистабильной пары C iC s в кремнии
Сирацкий В.М.1, Шаховцов В.И.1, Шиндич В.Л.1, Шпинар Л.И.1, Ясковец И.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Обсуждается микроскопическая модель бистабильного дефекта CiCs, имеющего различные конфигурации в разных зарядовых состояниях. На основании простых оценок энергии различных состояний CiCs установлена природа асимметрии адиабатических потенциалов, соответствующих различным конфигурациям дефекта.
  1. J.A. van Vechten, C.D. Thurmand. Phys. Rev., 14, 3539 (1976)
  2. H.W. Branz, R.S. Crandal. Appl. Phys. Lett., 55, 2634 (1989); B. Hamilton, A.R. Peaker, S. Pantelides. Phys. Rev. Lett., 61, 1627 (1988)
  3. М.И. Клингер. УФН, 152, 623 (1987)
  4. L.W. Sang, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev., 42, 5765 (1990)
  5. M. Kastner. J. Non-Cryst. Sol., 31, 223 (1978); R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
  6. G.D. Watkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett., 36, 1329 (1976)
  7. Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец, М.И. Клингер. ФТП, 24 (1990)
  8. В.М. Сирацкий, В.И. Шаховцов, В.Л. Шиндич, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец, ФТП, 24, 1795 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.