"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О трансформации потенциального барьера на границе GaAs / Au при термообработке
Бедный Б.И.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 20 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Исследовано влияние термической обработки в вакууме на электронное состояние поверхности GaAs(100), покрытой островковым слоем золота. Обнаружено, что с ростом температуры отжига в интервале 100/500oC происходит монотонное уменьшение эффективного изгиба зон в слое обеднения. При этом уровень Ферми на поверхности остается приблизительно на 0.8 эВ ниже дна зоны проводимости. Причиной трансформации потенциального барьера является формирование сильно легированной приповерхностной области с высокой прозрачностью для туннелирования. Показана возможность управления фотоэлектрическими свойствами тонких пленок GaAs с помощью адсорбции золота и термической обработки.
  1. J.M. Woodall, P.D. Kirchner, J.L. Freeouf, D.T. McInturff, M.R. Melloch, F.H. Pollak. Phil. Trans. R. Soc. Lond. A, 344, 521 (1993)
  2. M.P. Patkar, T.P. Chin, J.M. Woodall, M.S. Lundstrom, M.R. Melloch. Appl. Phys. Lett., 66, 1412 (1995)
  3. Т.А. Брянцева, В.Е. Любченко, Е.О. Юневич. Радиотехника и электроника, N 8, 1306 (1995)
  4. Н.А. Малеев, В.В. Волков, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, М.Ф. Кокорев, В.М. Устинов. ФТП, 33, 346 (1999)
  5. С.А. Костылев, Е.Ф. Прохоров, А.Т. Уколов. Явления переноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах (Киев, Наук. думка, 1990) гл. 2, с. 34
  6. Z. Liliental-Weber, R. Gronsky, J. Washburn, N. Newman, W.E. Spicer, E.R. Weber. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 966 (1986)
  7. P.H. Holloway, C.H. Mueller. Thin Sol. Films, 221, 254 (1992)
  8. Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 32, 200 (1998)
  9. N.L. Dmitruk, G.Y. Kolbasov, O.I. Maeva, V.I. Poludin. Thin Sol. Films, 65, 341 (1981)
  10. И.А. Карпович, Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, С.М. Планкина, М.В. Степихова, М.В. Шилова. ФТП, 23, 2164 (1989)
  11. Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов. В сб.: Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Сер. Физика твердого тела (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1998) вып. 2, с. 40
  12. Б.И. Бедный, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь. Поверхность. Физика, химия, механика, N 1, 94 (1991)
  13. D.P. Wang, T.L. Shen. Jpn. J. Appl. Phys., 33, part 1, 1253 (1994)
  14. Ф. Бехштейн, Р. Эндерлайн. Поверхности и гранцицы раздела (М., Мир, 1990) гл. 4, с. 356. [Пер. с англ.: F. Bechstedt, R. Enderlein. Semiconductor surfaces and interfaces (Berlin, Akademie-Verlag, 1988)]
  15. В.И. Белый, В.Р. Белослудов. В сб.: Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников (Новосибирск, Наука, 1988) с. 43
  16. Б.И. Бедный, Ю.А. Бенедиктов, А.Н. Калинин, И.А. Карпович. Изв. вузов. Физика, N 3, 30 (1980)
  17. Т.А. Брянцева, Г.Г. Дворянкина, З.М. Лебедева, А.Б. Ормонт, А.Г. Петров, Е.О. Юневич. Неорг. матер., 22, 889 (1986)
  18. T.P. Chen, Y.C. Liu, S. Fung, C.D. Beling. J. Appl. Phys., 77, 6724 (1995)
  19. H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 1130 (1986)
  20. В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 57 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.