Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах

Булярский С.В.¹, Серёжкин Ю.Н.², Ионычев В.К.²

¹Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia

²Мордовский государственный университет, Саранск, Россия

Поступила в редакцию: 15 февраля 1999 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование механизма включения микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах. Показано, что измерение функции распределения статистической задержки пробоя по длительности позволяет определять энергетический спектр глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах. Экспериментальные исследования проведены на промышленных фосфидгаллиевых светодиодах АЛ102 красного свечения. В температурном диапазоне 100-380 K выявлено влияние ряда энергетических уровней. В исследуемых диодах обнаружено необычное сильное влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя при изменении их зарядового состояния частичным уменьшением напряжения на p-n-переходе.

И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках (Л., Энергия, 1980)
C. Kimura, J. Nishizawa. Jap. J. Appl. Phys., 7, 1453 (1968)
M.W. Nield, J.H. Leck. Br. J. Appl. Phys., 18, 185 (1967)
П.В. Акимов, И.В. Грехов, Ю.Н. Серёжкин. ФТП, 4, 2099 (1970)
K.I. Nuttal, M.W. Nield. Sol. St. Electron., 18, 13 (1975)
G. Ferenczi. Sol. St. Electron., 17, 903 (1974)
R.A. Logan, H.G. White. J. Appl. Phys., 36, 3945 (1965)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., Изд-во МГУ, 1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель