Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние низкотемпературного перераспределения заряда на границе раздела Si / SiO2 на проводимость поверхностных электронных каналов
Бочкарева Н.И.1, Хорев С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Температурное поведение электронной плотности на границе раздела Si / SiO2 изучено с помощью измерений высокочастотной проводимости краевых поверхностных электронных каналов, шунтирующих барьеры Шоттки в n-Si. Результаты объясняются в рамках модели, в которой "металлический" характер температурного поведения проводимости отражает перераспределение электронного заряда между окислом и решеткой кремния в окрестности собственных температур кислородной подсистемы окисла.
- E.H. Poindexter, C.F. Young, G.J. Gerardy. In: Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices, ed. by E. Garfunkel et al. (Kluwer Academic Publishers, Netherlands, 1998)
- J.M.M.de Nijs, K.G. Druijf, V.V. Afanas'ev, E. van der Drift, P. Balk. Appl. Phys. Lett., 65, 2428 (1994)
- S.V. Kravchenko, W.E. Mason, G.E. Bowker, J.E. Furneaux, V.M. Pudalov, M.D'Iorio. Phys. Rev. B, 51, 7038 (1995)
- B.L. Altshuler, D.L. Maslov. Phys. Rev. Lett., 82, 145 (1999)
- T. Ando, A.B. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys., 54, 437 (1982)
- K. Rais, G. Ghibaudo, F. Balestra. Phys. St. Sol. (a), 146, 853 (1994)
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
- С.И. Кириллова, М.Д. Моин, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, В.А. Чернобай. ФТП, 26, 1399 (1992)
- Ю.В. Дубровский, С.В. Морозов. Поверхность. Физика, химия, математика, N 9, 143 (1987)
- Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 1432 (1998)
- Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991)
- P. Deak, L.C. Snyder, J.W. Corbett. Phys. Rev. B, 45, 11 612 (1992)
- D. Schmeisser. Surf. Sci., 137, 197 (1984)
- A. Spitzer, H. Luth. Surf. Sci., 118, 136 (1982)
- P.A. Theil, T.E. Madey. Surf. Sci. Rep., 7, 211 (1987)
- Т.В. Ягодовская, Л.И. Некрасов. ЖФХ, 51, 2434 (1977)
- G.P. Johari, A. Hallbrucker, E.L. Mayer. J. Chem. Phys., 95, 2955 (1991)
- D.L. Griscom. Phys. Rev. B, 40, 4224 (1989)
- J.D. Jorgensen, B.W. Veal, A.P. Paulikas, L.J. Nowicki. G.W. Grabtree, H. Claus, W.K. Kwok. Phys. Rev. B, 41, 1863 (1990)
- M.S. Hegde, P. Ganguly. Phys. Rev. B, 38, 4557 (1988)
- И.Я. Дзялошинский. Письма ЖЭТФ, 49, 119 (1989)
- J.Konstantinovic, G. Parette, Z. Diordjevic. Sol. St. Commun., 70, 163 (1989)
- L.P. Khiznichenko, P.F. Kromer, D.K. Kaipnazarov, E. Otenyazov, D. Yusupova, L.G. Zotova. Phys. St. Sol., 21, 805 (1967)
- B.M. Mecs, A.S. Nowick. Appl. Phys. Lett., 8, 75 (1966)
- Y. Wang, H. Shen, J. Zhu, Z. Xu, M. Gu, Z. Niu, Z. Zhang. J. Phys. C, 20, L665 (1987)
- В.С. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, В.С. Борисов. ФТТ, 27, 1906 (1985)
- А. Новик, Б. Берри. Релаксационные явления в кристаллах (М., Атомиздат, 1975)
- В.Н. Беломестных, О.Л. Хасанов, Ю. Кон-Сю. СФХМ, 2, 119 (1989)
- D.L. Griscom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
