Вышедшие номера
Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью
Василевский К.В.1, Zekentes K.2, Рендакова С.В.1, Никитина И.П.1, Бабанин А.И.1, Андреев А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Microelectronics Research Group, Institute of Electronic Structure and Laser, FO.R.T.H., Heraklion, Crete, Greece
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Эпитаксиальные пленки, выращенные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии, были использованы в качестве сильно легированных подконтактных слоев для формирования низкоомных контактов к 4H-SiC с дырочной проводимостью. Эти слои имели объемное удельное сопротивление ~ 0.02 Ом·см при концентрации атомов алюминия ~ 1.5· 1020 см-3. Отсутствие политипных включений и отличное кристаллическое качество сильно легированных подконтактных слоев было подтверждено рентгенодифракционными методами. Омические контакты с удельным сопротивлением менее 10-4Ом·см2 были изготовлены осаждением многослойной композиции металлов, содержащей Al и Ti, с последующим отжигом. Были исследованы структурные свойства и электрические характеристики полученных омических контактов.