Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические характеристики и структурные свойства омических контактов к эпитаксиальным слоям 4H-SiC с дырочной проводимостью

Василевский К.В.¹, Zekentes K.², Рендакова С.В.¹, Никитина И.П.¹, Бабанин А.И.¹, Андреев А.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Microelectronics Research Group, Institute of Electronic Structure and Laser, FO.R.T.H., Heraklion, Crete, Greece

Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Эпитаксиальные пленки, выращенные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии, были использованы в качестве сильно легированных подконтактных слоев для формирования низкоомных контактов к 4H-SiC с дырочной проводимостью. Эти слои имели объемное удельное сопротивление ~ 0.02 Ом·см при концентрации атомов алюминия ~ 1.5· 10²⁰ см^-3. Отсутствие политипных включений и отличное кристаллическое качество сильно легированных подконтактных слоев было подтверждено рентгенодифракционными методами. Омические контакты с удельным сопротивлением менее 10^-4Ом·см² были изготовлены осаждением многослойной композиции металлов, содержащей Al и Ti, с последующим отжигом. Были исследованы структурные свойства и электрические характеристики полученных омических контактов.

L. Kassamakova, R. Kakanakov, N. Nordell, S. Savage. Mater. Sci. Forum, 264--268, 787 (1998)
N. Lundberg, M. Ostling. Sol. St. Electron., 39, 1559 (1996)
J. Crofton, P.A. Barnes, J.R. Williams, J.A. Edmond. Appl. Phys. Lett., 62, 384 (1993)
J. Crofton, L. Beyer, J.R. Williams, E.D. Luckowski, S.E. Mohney, J.M. Delucca. Sol. St. Electron., 41, 1725 (1997)
R.N. Hall. J. Appl. Phys., 29, 914 (1958)
M.M. Anikin, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, I.V. Chuiko. In: Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III [Springer Proceedings in Physics 56] (Berlin, Springer Verlag, 1992) p. 183
Yu. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov. In: Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III [Springer Proceedings in Physics 56] (Berlin, Springer Verlag, 1992) p. 329
L. Spiegss, O. Nennewitz, V. Breternitz. Appl. Surf. Sci., 91, 347 (1995)
L. Spiegss, O. Nennewitz, J. Pezoldt. Inst. Phys. Conf., 142, 585 (1996)
L. Spiegss, O. Nennewitz, J. Pezoldt. Diam. Relat. Mater., 6, 1414 (1997)
K. Tone, S.R. Weiner, J.H. Zhao. Mater. Sci. Forum, 264--268, 689 (1998)
G. Pensl, V.V. Afanas'ev, M. Bassler, M. Schadt, T. Troffer, J. Heindl, H.P. Strunk, M. Maier, W.J. Choyke. Inst. Phys. Conf., 142, 275 (1995)
Z.C. Feng, I. Ferguson, R.A. Stall, K. Li, Y. Singh, K. Tone, J.H. Zhao, A.T.S. Wee, K.L. Tan, F. Adar, B. Lenian. Mater. Sci. Forum, 264--268, 693 (1998)
N. Nordell, S. Savage, A. Schoner. Inst. Phys. Conf., 142, 573 (1995)
S.V. Rendakova, V. Ivantsov, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264--268, 163 (1998)
A.E. Nikolaev, S.V. Rendakova, I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, V.A. Dmitriev. Electron. Mater., 27, 288 (1998)
G. Boberg, L. Stolt, P.A. Tove, H. Norde. Physica Scripta, 24, 405 (1981)
М.А. Кривоглаз. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах (Киев, Наук. думка, 1983) с. 325
R.N. Kutt, E.N. Mochov, A.S. Tregubova. Sol. St. Phys. 23, 3496 (1981)
J.M. Poate, K.N. Tu, J.W. Mayer. Thin films --- inter diffusion and reaction (A. Wiley--Interscience Publication, 1978)
T. Kimoto, A. Itoh, N. Inoue, O. Takemura, T. Yamamoto, T. Nakajima, H. Matsunami. Mater. Sci. Forum, 264--268, 675 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель