Вышедшие номера
Исследование структур пористый кремний/кремний методом температурных зависимостей фотоэдс
Венгер Е.Ф.1, Каганович Э.Б.1, Кириллова С.И.1, Манойлов Э.Г.1, Примаченко В.Е.1, Свечников С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Исследованы температурные зависимости фотоэдс при большом уровне генерации электронно-дырочных пар в свежеизготовленной химическим травлением и состаренной структурах на основе пористого кремния por-Si/p-Si. Показано, что формируемая в por-Si фотоэдс противоположно направлена фотоэдс, возникающей в p-Si, и характеризуется захватом неравновесных дырок на поверхности нанокристаллов por-Si во время освещения первым импульсом белого света. На состаренных структурах дополнительно наблюдается захват электронов в оксиде por-Si. Определены концентрации граничных электронных состояний и ловушек для электронов на границе p-Si с por-Si путем измерений фотоэдс на импульсах красного света.