Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 11 » Статья стр. 1323
<<<>>>
Изменение энергии ян-теллеровских конфигураций комплексов вакансия-донор под влиянием внешней одноосной деформации
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
PDF версия
Оценено расщепление энергии эквивалентных ян-теллеровских конфигураций поглощающего состояния комплексов <вакансия Ga (VGa)>-<теллур (TeAs)> в n-GaAs под влиянием одноосного давления вдоль направлений [111] и [001]. Для этого использованы зависимости поляризации фотолюминесценции, связываемой с этими комплексами, от величины давления при T~= 2 и 77 K. Рассмотрена феноменологическая модель такого комплекса, описывающая воздействие донора (TeAs) и эффекта Яна-Теллера на исходные t2-орбитали вакансии, входящей в комплекс, как влияние одноосной деформации. Модель позволяет связать измеренные величины расщеплений энергии эквивалентных конфигураций с отношением расщепления исходного t2-состояния вакансии под влиянием донора и эффекта Яна-Теллера. Сопоставление результатов расчета с экспериментальными данными показывает, что вклад эффекта Яна-Теллера в формирование поглощающего состояния комплекса VGaTeAs превышает вклад влияния донора, хотя и сравним с ним.
  1. G.D. Watkins. In: Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965) p. 97
  2. Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин. ФТП, 17, 97 (1983)
  3. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов, А.Ф. Цацульников. ФТП, 23, 2072 (1989)
  4. А.А. Гуткин, В.Е. Седов, А.Ф. Цацульников. ФТП, 25, 508 (1991)
  5. A.A. Gutkin. In: Defects in Semiconductors I. Proc. 1st Nat. Conf. on Defects in Semicond., St. Petersburg, Russia, April 26--30, 1992 (Scitec Publ. Ltd., Switzerland, 1993) [Def. Dif. Forum, 103--106, 13 (1993)]
  6. Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stivenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
  7. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП, 21, 415 (1987)
  8. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  9. E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
  10. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Defects in Semiconductors, p. 18 ( Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semicond., Sendai, Japan, July 23--28, 1995), ed by M. Swezawa and H. Katayama-Yoshida [Mater. Sci. Forum, 196--201, pt. 1, 231 (1995)]
  11. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
  12. A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physikalische Chemie, 200, 217 (1997)
  13. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  14. E.W. Williams, H.B. Bebb. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and A.C. Beer (N. Y.--London, Academic Press, 1972) v. 8, p. 321
  15. Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП, 21, 421 (1987)
  16. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  17. И.Б. Берсукер. Электронное строение и свойства координационных соединений (Л., Химия, 1986) с. 287
  18. D.T. Hurle. J. Phys. Chem. Sol., 40, 639 (1979)
  19. M.J. Puska, O. Jepsen, O. Gunnarsson, R.M. Nieminen. Phys. Rev. B, 34, 2695 (1986)
  20. G. Dlubek, R. Krause. Phys. St. Sol. (a), 102, 443 (1987)
  21. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1516 (1993)
  22. К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович, В.Е. Родионов. ФТП, 11, 35 (1977)
  23. А.А. Гуткин, Н.С. Аверкиев, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. В кн.: Оптика полупроводников. Труды международной конференции (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 1998) c. 122

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme