Вышедшие номера
Стимулированная лазерной ударной волной активация примесей в кристаллах ZnSe
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Горковенко Б.Л.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Исследовано влияние лазерной ударной волны на спектры фото- и термостимулированной проводимости, а также на температурные зависимости фото- и темнового токов монокристаллов ZnSe с различной концентрацией остаточных примесей. Показано, что температурная зависимость темнового тока в менее дефектных кристаллах после прохождения ударной волны наблюдается при более высоких давлениях ударной волны, а появление активации фото- и темнового токов обусловлено выходом из скоплений неконтролируемых примесей при прохождении ударной волны.
  1. А. Байдуллаева, А.И. Власенко, Ю.В. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, П.Е. Мозоль. ФТП, 30, 1438 (1996)
  2. В.А. Янушкевич. Физика и химия обраб. материалов, N 2, 47 (1979)
  3. Ю.Н. Никифоров, В.А. Янушкевич. ФТП, 14, 534 (1980)
  4. В.А. Янушкевич. Физика и химия обраб. материалов, N 5, 9 (1975)
  5. Высокоскоростные ударные явления, под ред. В.Н. Николаевского (М., Мир, 1973)
  6. В.В. Борщ, П.Е. Мозоль, И.И. Пацкун, И.В. Фекешгази. ФТП, 16, 339 (1982)
  7. В.А. Коротков, Л.В. Маликова, Г.П. Гринько. Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Физ. науки, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.