Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффекты сильного p-легирования в спектрах поляризованной эмиссии и низкотемпературной люминесценции напряженных GaAs/GaAsP-пленок
Субашиев А.В.1, Калевич В.К.2, Мамаев Ю.А.1, Оскотский Б.Д.1, Яшин Ю.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Экспериментально исследована оптическая ориентация спинов электронов в сильно легированных полупроводниковых напряженных пленках GaAs и GaAsP с валентной зоной, расщепленной вследствие одноосной деформации. Показано, что экспериментальные спектры поляризованной люминесценции и поляризованной фотоэмиссии хорошо описываются в модели, учитывающей размытие краев зон флуктуационным потенциалом, создаваемым примесями, вырождение носителей при понижении температуры и непрямые оптические переходы с участием фононов. Установлено, что доминирующим механизмом спиновой релаксации электронов в напряженных пленках является механизм Бира-Аронова-Пикуса. Определены параметры флуктуационного потенциала и параметры, определяющие спиновую релаксацию носителей.
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- Д.Н. Бычковский, О.В. Константинов, Б.В. Царенков. ФТП 24, 1848 (1990); О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Б.В. Царенков. ФТП 31, 571 (1997)
- S.C. Jain, D.J. Roulson. Sol. St. Electron., 28, 11 (1985)
- A.A. Klochichin. Phys. Rev. B, 52, 10 979 (1995)
- H.S. Bennet, J.R. Lowney. Appl. Phys., 62, 521 (1987)
- A. Balderesci, N.O. Lipari. Phys. Rev. B, 8, 2697 (1973); Phys. Rev. B, 9, 1525 (1974)
- A.V. Subashiev, E.P. German. Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia 1997) p. 130; Е.П. Герман, А.В. Субашиев. Письма ЖЭТФ, 65, 867 (1997)
- A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, J.C. Clendenin. Phys. Low-Dim. Struct., 1/2, 1 (1999)
- R. Mair. A Polarized Photoemission Study of Strained-layer GaAs Photocathodes, SLAC--Reprint-448 (1996)
- T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zapalac. Phys. Rev. B, 46, 4261 (1992)
- S. Wongmanerod, P.O. Holtz, K. Reginski, B. Sernelius, B. Monemar, M. Bugajski, O. Mauritz, M. Godlewski. Proc. 24th Int. Conf. on Physics of Semiconductors, Tel-Aviv, 1998 (World Scientific, 1998)
- Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, A.V. Subashiev, M.S. Galaktionov, B.S. Yavich, O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, N.N. Faleev. Phys. Low-Dim. Struct., 7, 27 (1994)
- D.N. Mirlin, V.I. Perel'. Hot-electron hotoluminescence under CW pumping. In: Spectroscopy of nonequilibrium electrons and photons, ed. by C.V. Shank and B.P. Zakharchenya (North-Holland, 1992) p. 269
- М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60, 1954 (1971)
- Г.Л. Бир, Е.Л. Ивченко. ФТП, 9, 1300 (1975)
- Г.Л. Бир, А.Г. Аронов, Г.Е. Пикус, ЖЭТФ, 60, 1382 (1975)
- B.D. Oskotskij, A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev. Phys. Low-Dim. Struct., 1/2, 77 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
