Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Релаксационная спектроскопия радиационно-индуцированных дефектов в 6H-SiC

Балландович В.С.¹

¹Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 апреля 1999 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом емкостной и токовой релаксационной спектроскопии исследованы монокристаллы Лели n-SiC(6H), облученные электронами с энергией 5 МэВ дозой 10¹⁶-10¹⁸ см^-2. Одиннадцать глубоких уровней, принадлежащих радиационно-индуцированным собственным дефектам, были обнаружены в энергетическом интервале 0.18-1.44 эВ от дна зоны проводимости. Изохронный отжиг образцов показал, что основная часть обнаруженных дефектов стабильна до температуры ~ 1000^oC. Наряду с этим в интервале температур 150-250^oC наблюдался отжиг глубокого центра с энергией ионизации E_i=(0.48-0.53) эВ. Предполагается, что этот центр обусловлен вакансией в подрешетке углерода.

D.V. Lang, J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
V.A. Il'in, V.S. Ballandovich. Def. Dif. Forum, 103-- 105, 633 (1993)
G. Pensl, W.J. Choyke. Physica B, 185, 264 (1993)
T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordell. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
H. Iton, M. Yoshikava, I. Nashiyama, S. Misava, H. Okumura, S. Yoshida. J. Electron. Mater., 21, 707 (1992)
H. Iton, A. Kawasuso, T. Ohshima, M. Yoshikava, I. Nashiyama, S. Tanigava, S. Misava, H. Okumura, S. Yoshida. Phys. St. Sol. (a), 162, 173 (1997)
V.S. Ballandovich , G.N. Violina. Cryst. Latt. Def. and Amorph. Mater., 13, 189 (1987)
H. Zhang, G. Pensl, P. Glasow, S. Levenzeder. ECS Extended Abstracts, 82-- 2, 714 (1989)
Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993)
A. Kawasuso, H. Itoh, S. Okada, H. Okumura. J. Appl. Phys., 80, 5639 (1996)
А.И. Гирка, В.А. Кулешин, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ФТП, 23, 2159 (1989)
А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель