Концентрация электронов во внешних полях в полупроводниках с заряженными дислокациями
Велиев З.А.1
1Нахичеванский университет, Нахичевань, Азербайджан
Поступила в редакцию: 21 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
Рассмотрены изменения концентрации электронов, обусловленные изменением сечения захвата и коэффициента термической ионизации при наложении внешних электрического и квантующего магнитного полей. Получены аналитические выражения для концентрации электронов в произвольных электрических и квантующих магнитных полях, а также в скрещенных электрическом и квантующем магнитном полях. Предположено, что релаксация электронов по энергии осуществляется в результате взаимодействия с акустическими фононами. Расчеты в квантующем магнитном поле произведены в ультраквантовом пределе.
- З.А. Велиев. ФТП, 32(1), 36 (1998)
- Z.A. Veliev. J. Fizika, 13, N 1 (1997)
- З.А. Велиев. ФТП 17(7), 1351 (1983)
- З.А. Велиев. ФТП 19(6), 1141 (1985)
- З.А. Велиев. ФТП 24(3), 553 (1990)
- В. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) c. 48
- Справочник по специальным функциям (М., Наука, 1978) c. 321
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук