"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проводимость и край поглощения аморфного силицина
Машин А.И.1, Хохлов А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Приведены результаты экспериментов по изучению температурной зависимости проводимости и спектра коэффициента поглощения аморфного силицина --- линейной аллотропной формы кремния. Обнаружено, что силицин является полупроводником с шириной запрещенной зоны ~ 1.6 эВ. Механизм проводимости вблизи комнатной температуры --- прыжковый, и проводимость при комнатной температуре составляет ~ 10-8 Ом-1·см-1. Рассматривается влияние столбчатой структуры исходной пленки на процесс формирования силицина при отжиге a-Si : H.
  1. А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, Д.А. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 67, 646 (1998)
  2. Ph.F. Schewe, B. Stein. The American Institute of Physics Bulletin of Physics News, N 388 (Sept. 3, 1998)
  3. А.И. Машин, А.Ф. Хохлов, И.В. Кольчугин и др. Вестн. ННГУ. Сер. Физика твердого тела, 112 (1998)
  4. Физика гидрогенизированного аморфного кремния, под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски (М., Мир, 1987)
  5. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. St. Sol., 15, 627 (1966)
  6. R.H. Klazes, van der M.H.L.M. Brock, J. Bezemer, S. Radelaar. Phil. Mag. B, 25, 377 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.