Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 11 » Статья стр. 1372
<<<>>>
Молекулярно-лучевая эпитаксия сильно рассогласованной по постоянной решетке гетеросистемы AlN/Si(111) для применения в приборах поверхностных акустических волн
Кипшидзе Д.Г.1, Шенк Х.П.2, Фиссел А.2, Кайзер У.2, Вайнахт М.3, Кунце Р.3, Кройслих И.4, Шульце И.2, Рихтер Во.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики твердого тела, Университет Фридриха Шиллера, Иена, Германия
3Научно-исследовательский институт твердого тела, Дрезден, Германия
4Институт оптики и квантовой электроники, Университет Фридриха Шиллера Иена, Германия
Поступила в редакцию: 16 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.
PDF версия
Представлены результаты применения молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания пьезоэлектрических пленок AlN на подложках Si(111), пригодных для приборного применения. Определены технологические условия роста стехиометрического AlN путем управления реконструкцией поверхности, возникающей в различных термодинамических условиях на ростовой поверхности. Полученные пленки AlN гексагонального политипа имели высокое кристаллическое совершенство и атомарно-гладкую эпитаксиальную поверхность. Обнаружен механизм релаксации кристаллической решетки AlN на расстоянии одного монослоя от гетерограницы. Продемонстрированы пьезоэлектрические свойства пленки AlN. Исследования временных характеристик поверхностной акустической волны свидетельствуют о низком уровне рассеяния волны в процессе распространения. Коэффициент электромеханической связи измерен в геометрии встречно-гребенчатого преобразователя (lambda=16 мм) и составил 0.07% при частоте f=286 МГц, что находится в хорошем согласии с теоретическим значением для пленки AlN толщиной 1.04 мкм.
  1. K. Tsubouchi, N. Mikoshiba. IEEE Trans. Sonics Ultrason., SU--32, 634 (1985)
  2. K. Shimada, T. Sota, K. Suzuki. J. Appl. Phys., 84, 4951 (1998)
  3. G.D. O'Clock, Jr., M.T. Duffy. Appl. Phys. Lett., 23, 55 (1973)
  4. J.K. Liu, K.M. Lakin, K.L. Wang. J. Appl. Phys., 46, 3703 (1975)
  5. H. Okano, N. Tanaka, K. Shibata, S. Nakano. Jpn. J. Appl. Phys., 32, 4052 (1993); H. Okano, N. Tanaka, Y. Takahashi, T. Tanaka, K. Shibata, S. Nakano. Appl. Phys. Lett., 64, 166 (1994)
  6. K. Kaya, H. Takahashi, Y. Shibata, Y. Kanno, T. Hirai. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 2837 (1997)
  7. T. Suetsugu, T. Yamazaki, S. Tomabechi, K. Wada, K. Masu, K. Tsobouchi. Appl. Surf. Sci., 117/118, 540 (1997)
  8. C. Deger, E. Born, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, J. Hornsteiner, E. Riha, G. Fischerauer. Appl. Phys. Lett., 72, 2400 (1998)
  9. F.S. Hickernell, H.M. Liaw. In: Proc. IEEE 9th Int. Symp. Appl. Ferroelectrics, (1995) p. 543
  10. Y.-J. Yong, J.-Y. Lee. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 390 (1997)
  11. L.G. Pearce, R.L. Gunshor, R.F. Pierret. In: Proc. 1981 IEEE Ultrason. Symp. (1981) p. 381
  12. K.S. Stevens, M. Kinniburgh, A.F. Schwartzman, A. Ohtani, R. Beresford. Appl. Phys. Lett., 66, 3179 (1995)
  13. K.S. Stevens, M. Kinniburgh, R. Beresford. Appl. Phys. Lett., 66, 3518 (1995)
  14. S. Karmann, H.P.D. Schenk, U. Kaiser, A. Fissel, Wo. Richter. Mater. Sci. Eng. B, 50, 228 (1997)
  15. K. Dovidenko, S. Oktyabrsky, J. Narayan, M. Razeghi. J. Appl. Phys., 79, 2439 (1996)
  16. W.J. Meng, J.A. Sell, T.A. Perry, L.E. Rehn, P.M. Baldo. J. Appl. Phys., 75, 3446 (1994)
  17. I. Ivanov, L. Hultman, K. Jarrendahl, P. Martensson, J.-E. Sundgren, B. Hjorvarsson, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 78, 5721 (1995)
  18. B. Daudin, F. Widmann. J. Cryst. Growth, 182, 1 (1997)
  19. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, J.W. Yang, R. Gaska, D. Kuksenkov, H. Temkin, I.K. Shmagin, Y.C. Chang, J.F. Muth, R.M. Kolbas. Appl. Phys. Lett., 72, 551 (1998)
  20. M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Monroy, F.J. Sanchez, F. Calle, E. Munoz, R. Beresford. J. Cryst. Growth, 183, 23 (1998)
  21. H.P.D. Schenk, U. Kaiser, G.D. Kipshidze, A. Fissel, J. Krausslich, H. Hobert, J. Schulze, Wo. Richter. Mater. Sci. Eng. B, 59, 84 (1999)
  22. M.A.L. Johnson, S. Fujita, W.H. Rowland, Jr, K.A. Bowers, W.C. Hughes, Y.W. He, N.A. El-Masry, J.W. Cook, Jr, J.F. Schetzina, J. Ren, J.A. Edmond. J. Vac. Sci. Eng. B, 14, 2349 (1996)
  23. U. Rossner. Thesis, CEA, Grenoble, 1995
  24. A. Bourret, A. Barski, J.L. Rouvi\`ere, G. Renaud, A. Barbier. J. Appl. Phys., 83 (1998) 2003
  25. K. Jarrendahl, S.A. Smith, T. Zheleva, R.S. Kern, R.F. Davis. Mater. Sci. Forum, 264/268, 1181 (1998)
  26. W. Monch. Semiconductor Surfaces and Interfaces (Springer, Berlin, 1993) p. 257
  27. U. Kaiser, P.D. Brown, I. Khodos, C.J. Humphreys, H.P.D. Schenk, Wo. Richter. J. Mater. Res. (in press)
  28. A. Trampert, O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 70, 583 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme