Вышедшие номера
Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+
Голикова О.А.1, Кузнецов А.Н.1, Кудоярова В.Х.1, Петров И.Н.2, Домашевская Э.П.3, Терехов В.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
3Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Определено влияние имплантации ионами кремния (с энергией Si+ 30, 60 и 120 кэВ) на темновую проводимость, фотопроводимость, содержание водорода в пленках, величину микроструктурного параметра, а также на особенности ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров пленок a-Si : H, осажденных при Ts=300oC методами dc-MASD и rf-PECVD, отличающихся исходными структурными характеристиками.