Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+
Голикова О.А.1, Кузнецов А.Н.1, Кудоярова В.Х.1, Петров И.Н.2, Домашевская Э.П.3, Терехов В.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
3Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.
Определено влияние имплантации ионами кремния (с энергией Si+ 30, 60 и 120 кэВ) на темновую проводимость, фотопроводимость, содержание водорода в пленках, величину микроструктурного параметра, а также на особенности ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров пленок a-Si : H, осажденных при Ts=300oC методами dc-MASD и rf-PECVD, отличающихся исходными структурными характеристиками.
- О.А. Голикова, Х.Ю. Мавлянов, И.Н. Петров, Р.Р. Яфаев. ФТП, 29, 577 (1995)
- О.А. Голикова. ФТП, 33, 464 (1999)
- О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. ФТП, 31, 816 (1997)
- О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова. ФТП, 32, 484 (1998)
- О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
- В.А. Терехов. Автореф. дис. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук (Воронеж, 1994)
- R. Zellama, L. Chahed, P. Sladec, V.L. Theye, J.H. von Bardeleben, P. Roca i Cabarrocas. Phys. Rev. B, 53, 3804 (1995)
- M. Statzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1995)
- Y. He, C. Yin, G. Cheng, L. Wang, X. Liu, G.Y. Hu. J. Appl. Phys., 75, 797 (1994)
- L.A. Marques, M.-J. Caturla, H. Huang, T. Diaz de la Rubia, MRS Symp. Proc., 396, 201 (1996).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.