"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модификации структуры и электрических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, имплантированных ионами Si+
Голикова О.А.1, Кузнецов А.Н.1, Кудоярова В.Х.1, Петров И.Н.2, Домашевская Э.П.3, Терехов В.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Центральный научно-исследовательский институт "Электрон", Санкт-Петербург, Россия
3Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Определено влияние имплантации ионами кремния (с энергией Si+ 30, 60 и 120 кэВ) на темновую проводимость, фотопроводимость, содержание водорода в пленках, величину микроструктурного параметра, а также на особенности ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров пленок a-Si : H, осажденных при Ts=300oC методами dc-MASD и rf-PECVD, отличающихся исходными структурными характеристиками.
  1. О.А. Голикова, Х.Ю. Мавлянов, И.Н. Петров, Р.Р. Яфаев. ФТП, 29, 577 (1995)
  2. О.А. Голикова. ФТП, 33, 464 (1999)
  3. О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. ФТП, 31, 816 (1997)
  4. О.А. Голикова, М.М. Казанин, В.Х. Кудоярова. ФТП, 32, 484 (1998)
  5. О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 29, 1128 (1995)
  6. В.А. Терехов. Автореф. дис. на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук (Воронеж, 1994)
  7. R. Zellama, L. Chahed, P. Sladec, V.L. Theye, J.H. von Bardeleben, P. Roca i Cabarrocas. Phys. Rev. B, 53, 3804 (1995)
  8. M. Statzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1995)
  9. Y. He, C. Yin, G. Cheng, L. Wang, X. Liu, G.Y. Hu. J. Appl. Phys., 75, 797 (1994)
  10. L.A. Marques, M.-J. Caturla, H. Huang, T. Diaz de la Rubia, MRS Symp. Proc., 396, 201 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.