"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства монокристаллов Hg1-xCdxTe, подвергнутых гидростатическому давлению
Вирт И.С.1, Прозоровский В.Д.1, Цюцюра Д.И.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
Поступила в редакцию: 25 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Экспериментально исследованы с помощью бесконтактной методики электрофизические свойства монокристаллов Hg1-xCdxTe, подвергнутых гидростатическому воздействию. Показано, что существует эффект необратимого изменения состояния собственных дефектов кристаллической решетки. В обработанных образцах уменьшается концентрация дырок (акцепторов) и увеличивается подвижность электронов.
  1. В.И. Зайцев. Физика пластичности гидростатически сжатых кристаллов (Киев, 1983)
  2. J.B. Yung. Phil. Mag., 43, 1057 (1981)
  3. С.Г. Гасан-заде, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. ФТП, 17, 1913 (1983)
  4. М.Г. Андрухив, И.С. Вирт, Д.И. Цюцюра, Д.Д. Шуптар, П.С. Шкумбатюк. ФТП, 23, 1263 (1989)
  5. В.Д. Прозоровский, И.Ю. Решидова, Ю.А. Браташевский, Б.П. Пирлов. ФТП, 17, 1325 (1983)
  6. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., 1990)
  7. И.М. Цидильковский, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках (Свердловск, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.