Методами фотолюминесценции, комбинационного рассеяния и спектроскопии обратного рассеяния alpha-частиц исследовано формирование центров видимого рекомбинационного излучения при отжиге слоев SiO₂, имплантированных ионами Ge. Обнаружено, что обусловленные Ge центры формируются сразу после имплантации, а с повышением температуры отжига до 800^oC проявляются стадии роста и спада интенсивности полос фотолюминесценции. Диффузионное перераспределение атомов Ge наблюдалось только после 1000^oC и сопровождалось формированием германиевых нанокристаллов. Это, однако, не приводило к появлению интенсивной фотолюминесценции в отличие от прошедших аналогичную обработку слоев SiO₂ с избытком Si. Считается, что до начала диффузии Ge формирование центров фотолюминесценции происходит путем замыкания прямых связей между близкими избыточными атомами, что дает доминирующую фиолетовую полосу (аналогичную фотолюминесценции вакансий O в SiO₂) и слабое длинноволновое свечение различных комплексов Ge. Последующее образование центров фотолюминесценции с lambda_m~570 нм при отжигах ниже 800^oC объяснено стягиванием связанных атомов Ge в компактные некристаллические преципитаты. Отсутствие после высокотемпературных отжигов сильной фотолюминесценции обусловлено несовершенством границ раздела между сформировавшимися нанокристаллами Ge и матрицей SiO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.