"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика изменения спектров фотолюминесценции образцов CdTe стехиометрического состава в зависимости от чистоты исходных компонентов
Квит А.В.1, Клевков Ю.В.1, Медведев С.А.1, Багаев В.С.1, Пересторонин А.1, Плотников А.Ф.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Представлен новый сублимационный метод очистки веществ в вакууме, основанный на фазовом превращении кристалл--пар--кристалл. Приведена принципиальная конструкция ростового реактора и основные параметры глубокой очистки соединения CdTe. С помощью низкотемпературной фотолюминесценции показана динамика очистки, характеризующаяся полным распадом различных комплексов и резким уменьшением концентрации как мелких, так и глубоких остаточных примесей. На финишном этапе очистки получен поликристаллический CdTe состава, близкого к стехиометрическому, в спектре фотолюминесценции которого полностью отсутствует примесное излучение и остается только экситонная часть. Экспериментально подтверждена необходимость глубокой очистки исходных компонент. Аналогичные результаты получены для ZnTe и ZnSe.
  1. S. Medvedieff. US Patent No. 5201985 (13.04.1993)
  2. S. Medvedieff, Yu. Klevkov. Application No. PCT/RU96/00176
  3. Y. Marfaing. Progr. Cryst. Growth Charact., 4 , 317 (1981)
  4. A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin. Semicond. Sci. Technol., 9, 1805 (1994)
  5. A.V. Kvit, Yu.V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, A.V. Tsikunov, B.G. Zhurkin. Mater. Sci. Eng. B, 26, 1 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.