"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучение, связанное с протяженными дефектами в эпитаксиальных слоях ZnTe/GaAs и многослойных структурах
Венгер Е.Ф.1, Садофьев Ю.Г.2, Семенова Г.Н.1, Корсунская Н.Е.1, Кладько В.П.1, Семцив М.П.1, Борковская Л.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Методом рентгеновской дифракции и фотолюминесценции показано, что использование тонкого промежуточного рекристаллизованного слоя ZnTe между буферным слоем ZnTe, полученным методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и подложкой GaAs, а также увеличение толщины эпитаксиального слоя приводят к улучшению структуры (увеличению размеров мозаики) и росту интенсивности полос в экситонной области спектра. Установлено, что ряд характеристик полос I1C, а также обнаруженной в образцах с квантовыми ямами и сверхрешетками полосы с hnu~ 2.361 эВ отличаются от соответствующих характеристик линий излучения свободных и связанных экситонов и типичны для полос дислокационного излучения в монокристаллах AIIBVI. Предполагается, что полоса I1C связана с границами субблоков, составляющих мозаичную структуру эпитаксиальных слоев.
  1. J. Petruzzello, D.J. Olego, X. Chu, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 63, 1783 (1988)
  2. S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J. Qiu, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 63, 3107 (1993)
  3. G. Kudlek, J. Gutowski. J. Luminesc., 52, 55 (1992)
  4. V.I. Kozlivsky, A.B. Krysa, Yu.G. Sadof'ev. Proc. Xth Int. Conf. on MBE (Cannes, France, 1998)
  5. P.J. Dean, M.J. Kane, N. Magnea, F. de Haigret. Le Si Dang, A. Narimai, R. Romestain, M.S. Skolnick. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 6185 (1985)
  6. H.P. Wagner, W. Kuhn, W. Gebhardt. J. Cryst. Growth, 101, 199 (1990)
  7. A. Naumov, K. Wolf, T. Reisinger, H. Stanzl, W. Gebhardt. J. Appl. Phys., 73, 2581 (1993)
  8. E.F. Venger, Yu.G. Sadof'ev, G.N. Semenova, N.E. Korsunskaya, V.P. Klad'ko, B. Embergenov, B.R. Dzhumaev, L.V. Borkovskaya, M.P. Semtsiv, M. Sharibaev. SPIE Proc., 1999 (in press)
  9. J.L. Dessus, Le Si Dang, A. Nahmani, R. Romestain. Sol. St. Commun., 37, 689 (1981)
  10. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987)
  11. G. Kudlek, N. Presser, J. Gutowski, K. Kingerl, E. Abramot, H. Sitter. Semicond. Sci. Technol., 6, A90 (1991)
  12. B.T. Jonker, S.B. Qadri, J.J. Krebs, O.A. Prinz. J. Vac. Sci. Technol., A7, 1360 (1989)
  13. Н.И. Тарбаев, Г.А. Шепельский. ФТП, 32, 646 (1998)
  14. V.D. Negrii, Yu.A. Osipyan, N.V. Lomak. Phys. St. Sol. ( a), 126, 49 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.