"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фазовый переход кристалл--стекло, происходящий под воздействием электрического поля в халькогенидных полупроводниках
Лебедев Э.А.1, Цэндин К.Д.1, Казакова Л.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

Показано, что минимальная мощность импульсов электрического поля, вызывающая фазовый переход кристалл-стекло в микронных пленках халькогенидных полупроводников, не зависит от длительности импульсов tau при tau>10 мкс и растет при уменьшении tau для значений tau<1-3 мкс. Полученная зависимость сходна с той, которая наблюдается при фазовом переходе кристалл-стекло, индуцированном импульсами лазерного излучения.
  1. Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб, Наука, 1996) с. 224
  2. В.Х. Шпунт. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб, Наука, 1996) с. 300
  3. Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. Письма ЖТФ, 23(12), 50 (1997)
  4. Э.А. Лебедев, К.Д. Цэндин. ФТП, 32, 939 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.