Вышедшие номера
Квантовый выход электролюминесценции в p-n-структурах типа GaInAsSb/GaSb и AlGaAsSb/ GaInAsSb
Юнусов М.С.1, Абдурахманов Ю.Ю.1, Объедков Е.В.1, Оксенгендлер Б.Л.1, Паттахов А.А.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Улукбек, Узбекистан
Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

Исследован квантовый выход электролюминесценции в светодиодных структурах на основе GaInAsSb, полученного из расплавов обогащенных сурьмой, излучающих в диапазоне 1.8-2.5 мкм. Показано, что значения внешнего квантового выхода etae300=< 3/4%. Лучшие значения квантового выхода получены в двойной гетероструктуре с широкозонными слоями AlGaAsSb. Температурную зависимость etae при температурах близких к 300 K можно объяснить, учитывая механизмы излучательной рекомбинации, безызлучательной оже-рекомбинации и фононно-стимулированного захвата дырок на глубокие акцепторные уровни с последующей безызлучательной рекомбинацией.
  1. А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов и др. Письма ЖТФ, \bf 15, 71 (1989)
  2. А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов и др. ФТП, \bf 24, 1708 (1990)
  3. В.И. Васильев, Н.Д. Ильинская, Д.В. Куксенков и др. Письма в ЖТФ, \bf 16, 58 (1990)
  4. В.И. Васильев, В.В. Кузнецов, В.А. Мишурный. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 26, 23 (1990)
  5. А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак и др. Письма ЖТФ, \bf 16, 19 (1990)
  6. А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов и др. Письма ЖТФ, \bf 14, 845 (1988)
  7. \it Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна (М., 1973)
  8. А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах (М., 1978)
  9. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 22, 1381 (1988)
  10. A.R. Beattia, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc., \bf 249, 16 (1959)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.