Квантовый выход электролюминесценции в p-n-структурах типа GaInAsSb/GaSb и AlGaAsSb/ GaInAsSb
Юнусов М.С.1, Абдурахманов Ю.Ю.1, Объедков Е.В.1, Оксенгендлер Б.Л.1, Паттахов А.А.1
1Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана,, Улукбек, Узбекистан
Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Исследован квантовый выход электролюминесценции в светодиодных структурах на основе GaInAsSb, полученного из расплавов обогащенных сурьмой, излучающих в диапазоне 1.8-2.5 мкм. Показано, что значения внешнего квантового выхода etae300=< 3/4%. Лучшие значения квантового выхода получены в двойной гетероструктуре с широкозонными слоями AlGaAsSb. Температурную зависимость etae при температурах близких к 300 K можно объяснить, учитывая механизмы излучательной рекомбинации, безызлучательной оже-рекомбинации и фононно-стимулированного захвата дырок на глубокие акцепторные уровни с последующей безызлучательной рекомбинацией.
- А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов и др. Письма ЖТФ, \bf 15, 71 (1989)
- А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов и др. ФТП, \bf 24, 1708 (1990)
- В.И. Васильев, Н.Д. Ильинская, Д.В. Куксенков и др. Письма в ЖТФ, \bf 16, 58 (1990)
- В.И. Васильев, В.В. Кузнецов, В.А. Мишурный. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 26, 23 (1990)
- А.Н. Именков, О.П. Капранчик, А.М. Литвак и др. Письма ЖТФ, \bf 16, 19 (1990)
- А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов и др. Письма ЖТФ, \bf 14, 845 (1988)
- \it Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна (М., 1973)
- А.М. Стоунхэм. Теория дефектов в твердых телах (М., 1978)
- Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 22, 1381 (1988)
- A.R. Beattia, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc., \bf 249, 16 (1959)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.