Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические фононы и упорядочение кристаллической решетки твердых растворов In xGa 1-xAs
Минтаиров А.М.1, Мазуренко Д.М.1, Синицин М.А.1, Явич Б.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Обнаружено, что в спектрах комбинационного рассеяния и инфракрасного отражения света двухкомпонентных твердых растворов InxGa1-xAs (x=0.1-0.3) проявляются три типа оптических фононов. Из спектров комбинационного рассеяния определены силы осциллятора (Sp) и коэффициенты Фауста-Генри (Cp) оптических фононов InxGa1-xAs (x~ 0.2). Анализ состояния поляризации в спектрах и значений Sp и Cp показал, что оптические фононы с частотами поперечных компонент 236 и 260 см-1 обусловлены колебаниями спонтанно упорядоченной фазы, имеющей структуру монослойной сверхрешетки (InAs)1(GaAs)1 в плоскости (100), а оптические фононы 267 см-1 - колебанием GaAs-фазы со структурой цинковой обманки. Вывод о частичном упорядочении кристаллической решетки InxGa1-xAs с образованием монослойной сверхрешетки (InAs)1(GaAs)1 подтвердили расчеты функции поперечного отклика в модели линейной цепочки.
- T.S. Kuan, W.I. Wang, E.L. Wilkie. Appl. Phys. Lett., \bf 51, 51 (1987)
- T. Suzuki, A. Gomyo, S. Iijima, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Yuasa. Japan. J. Appl. Phys., \bf 27, 2098 (1988)
- S.R. Kurtz. J. Appl. Phys., 74, 4130 (1993)
- A. Anastassiadou, Y.S. Raptis, E. Anastassakis. J. Appl. Phys., \bf 60, 2924 (1986)
- \it Light Scattering in Solids, IV, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (1984) [Topics in Applied Physics (Berlin, Heidelberg, N.Y.--Tokyo: Springer) v. 54]
- A.M. Mintairov, K.E. Smekalin, V.M. Ustinov, V.P. Khvostikov. Sov. Phys. Semicond., \bf 26, 347 (1992)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
- M.H. Brodsky, G. Lucovski. Phys. Rev. Lett., 21, 990 (1968)
- S. Yamazaki, A. Ushirokava, T. Katoda. J. Appl. Phys., \bf 51, 3722 (1980)
- K. Kakimoto, T. Katoda. Appl. Phys. Lett., 40, 826 (1982)
- K. Kakimoto, T. Katoda. Japan. J. Appl. Phys., \bf 24, 1022 (1985)
- T.P. Persal, R. Charles, J.C. Portal. Appl. Phys. Lett., \bf 42, 436 (1983)
- S. Emura, S. Gonda, Y. Matsui, H. Hayashi. Phys. Rev. B., \bf 38, 3280 (1988)
- Z.C. Feng, A.A. Allerman, P.A. Barnes, S. Perkowitz. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 1848 (1992)
- J.P. Estrera, P.D. Stevens, R. Glosser, W.M. Duncan, Y.C. Kao, H.Y. Liu, E.A. Beam III. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 1927 (1992)
- \it Semiconductors: Group IV Elements and III--V Compounds, ed by O. Madelung (Berlin etc., Springer, 1991)
- W.A. Harrison. \it Electronic Structure and properties of solids (Freeman, N.Y., 1980)
- G. Ferreira, Su-Huai Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B., \bf 40, 3197 (1989)
- Z.V. Popovic, M. Cardona, E. Richter, D. Strauch, L. Tapfer, K. Ploog. Phys. Rev. B., \bf 40, 3040 (1989)
- T. Katoda, N. Hara. \it Int. Symp. GaAs and Related Compounds (Las Vegas, Nevada, 1986) [Inst. Phys. Conf. Ser. N 83, Chap. 4, p. 263]
- T. Ohno. Phys. Rev. B., 38, 13191 (1988)
- A.S. Barker, Jr., A.J. Sievers. Rev. Mod. Phys., \bf 47, S1 (1975)
- P. Molinas-Mata, A.J. Shields, M. Cardona. Phys. Rev. B., \bf 47, 1866 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
