Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 9 » Статья стр. 1550
<<<>>>
Оптические фононы и упорядочение кристаллической решетки твердых растворов In xGa 1-xAs
Минтаиров А.М.1, Мазуренко Д.М.1, Синицин М.А.1, Явич Б.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
PDF версия
Обнаружено, что в спектрах комбинационного рассеяния и инфракрасного отражения света двухкомпонентных твердых растворов InxGa1-xAs (x=0.1-0.3) проявляются три типа оптических фононов. Из спектров комбинационного рассеяния определены силы осциллятора (Sp) и коэффициенты Фауста-Генри (Cp) оптических фононов InxGa1-xAs (x~ 0.2). Анализ состояния поляризации в спектрах и значений Sp и Cp показал, что оптические фононы с частотами поперечных компонент 236 и 260 см-1 обусловлены колебаниями спонтанно упорядоченной фазы, имеющей структуру монослойной сверхрешетки (InAs)1(GaAs)1 в плоскости (100), а оптические фононы 267 см-1 - колебанием GaAs-фазы со структурой цинковой обманки. Вывод о частичном упорядочении кристаллической решетки InxGa1-xAs с образованием монослойной сверхрешетки (InAs)1(GaAs)1 подтвердили расчеты функции поперечного отклика в модели линейной цепочки.
  1. T.S. Kuan, W.I. Wang, E.L. Wilkie. Appl. Phys. Lett., \bf 51, 51 (1987)
  2. T. Suzuki, A. Gomyo, S. Iijima, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Yuasa. Japan. J. Appl. Phys., \bf 27, 2098 (1988)
  3. S.R. Kurtz. J. Appl. Phys., 74, 4130 (1993)
  4. A. Anastassiadou, Y.S. Raptis, E. Anastassakis. J. Appl. Phys., \bf 60, 2924 (1986)
  5. \it Light Scattering in Solids, IV, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (1984) [Topics in Applied Physics (Berlin, Heidelberg, N.Y.--Tokyo: Springer) v. 54]
  6. A.M. Mintairov, K.E. Smekalin, V.M. Ustinov, V.P. Khvostikov. Sov. Phys. Semicond., \bf 26, 347 (1992)
  7. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
  8. M.H. Brodsky, G. Lucovski. Phys. Rev. Lett., 21, 990 (1968)
  9. S. Yamazaki, A. Ushirokava, T. Katoda. J. Appl. Phys., \bf 51, 3722 (1980)
  10. K. Kakimoto, T. Katoda. Appl. Phys. Lett., 40, 826 (1982)
  11. K. Kakimoto, T. Katoda. Japan. J. Appl. Phys., \bf 24, 1022 (1985)
  12. T.P. Persal, R. Charles, J.C. Portal. Appl. Phys. Lett., \bf 42, 436 (1983)
  13. S. Emura, S. Gonda, Y. Matsui, H. Hayashi. Phys. Rev. B., \bf 38, 3280 (1988)
  14. Z.C. Feng, A.A. Allerman, P.A. Barnes, S. Perkowitz. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 1848 (1992)
  15. J.P. Estrera, P.D. Stevens, R. Glosser, W.M. Duncan, Y.C. Kao, H.Y. Liu, E.A. Beam III. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 1927 (1992)
  16. \it Semiconductors: Group IV Elements and III--V Compounds, ed by O. Madelung (Berlin etc., Springer, 1991)
  17. W.A. Harrison. \it Electronic Structure and properties of solids (Freeman, N.Y., 1980)
  18. G. Ferreira, Su-Huai Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B., \bf 40, 3197 (1989)
  19. Z.V. Popovic, M. Cardona, E. Richter, D. Strauch, L. Tapfer, K. Ploog. Phys. Rev. B., \bf 40, 3040 (1989)
  20. T. Katoda, N. Hara. \it Int. Symp. GaAs and Related Compounds (Las Vegas, Nevada, 1986) [Inst. Phys. Conf. Ser. N 83, Chap. 4, p. 263]
  21. T. Ohno. Phys. Rev. B., 38, 13191 (1988)
  22. A.S. Barker, Jr., A.J. Sievers. Rev. Mod. Phys., \bf 47, S1 (1975)
  23. P. Molinas-Mata, A.J. Shields, M. Cardona. Phys. Rev. B., \bf 47, 1866 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme