Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами

Скипетров Е.П.¹, Некрасова А.Н.¹, Пелехов Д.В.¹, Рябова Л.И.¹, Сидоров В.И.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 17 февраля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние глубокого облучения электронами (температура T~= 300 K, энергия электронов E=6 МэВ, доза Phi=< 3· 10¹⁷ см^-2) на электрофизические и фотоэлектрические свойства монокристаллов n- и p-PbTe, легированных галлием в концентрации C_Ga=0.1/0.4 ат%. В образцах p-PbTe(Ga) обнаружены уменьшение концентрации дырок, p-n-инверсия и переход в диэлектрическое состояние под действием облучения. Показано, что в диэлектрическом состоянии образцы PbTe(Ga) обладают повышенной радиационной стойкостью электрофизических и фотоэлектрических параметров независимо от того, было ли это состояние достигнуто в процессе легирования (образцы n-типа проводимости) или индуцировано облучением (образцы p-типа проводимости).

Б.А. Акимов, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Высокочистые вещества, вып. N 6, 22 (1991)
B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. St. Sol. (a), \bf 137, 9 (1993)
В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, И.А. Драбкин, Е.Я. Лев, И.В. Нельсон. ФТП, \bf 11, 1874 (1977)
А.М. Гаськов, Н.Г. Лисина, В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. ДАН СССР, \bf 261, 95 (1981)
Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, Е.И. Слынько, А.Г. Хорош, В.И. Штанов. ФТП, \bf 24, 51 (1990)
Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП, \bf 26, 888 (1992)
С.А. Белоконь, Л.Н. Верещагина, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, \bf 26, 264 (1992)
Дж. Блекмор. \it Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
Ф.Ф. Сизов, Ю.Г. Троян, Л.Ф. Линник. УФЖ, \bf 30, 1225 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель