Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, полученном жидкофазной эпитаксией из расплава висмута

Самойлов В.А.¹, Якушева Н.А.¹, Принц В.Я.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 3 сентября 1993 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

PDF версия

Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние легирования эпитаксиального арсенида галлия, выращенного из расплава висмута, изовалентной примесью Sb на спектр дефектов с глубокими уровнями. Обнаружено, что в дополнение к характерным для данных условий роста электронным ловушкам EL2 (E_c-0.79 эВ) и EL5 (E_c-0.41 эВ) при легировании сурьмой вводятся новые дефекты ELSb (E_c-0.53 эВ), концентрация которых возрастает с ростом уровня легирования более чем на 3 порядка. При содержании сурьмы в кристалле порядка 1 ат% концентрация уровней EL5 уменьшается на несколько порядков, а концентрация уровней EL2 возрастает в 3-4 раза. Сечения захвата электронов на уровни EL2 и ELSb мало отличаются в широком диапазоне температур 77-300 K. Результаты хорошо объяснимы, если считать, что уровень ELSb обусловлен дефектом Sb_Ga, а уровень EL5 - дивакансией V_Ga-V_As.

В.К. Баженов, В.И. Фистуль. ФТП, 18, 1345 (1984)
В.Я. Принц, Е.Х. Хайри, В.А. Самойлов, Ю.В. Болховитянов. ФТП, \bf 20, 1392 (1986)
С.Б. Евгеньев, Н.В. Ганина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 20, 561 (1984)
N.A. Yakusheva, V.Ya. Prinz, Yu.B. Bolkhovityanov. Phys. St. Sol. (a), \bf 95, K43 (1986)
N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Techn., \bf 24, 235 (1989)
Н.А. Якушева, С.И. Чикичев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 23, 1607 (1987)
R.E. Nahory, M.A. Pollack, J.C. De Winter, K.M. Williams. J. Appl. Phys., \bf 48, 1607 (1977)
В.И. Усик. А.с. СССР N 924634, БИ, вып. 6 (1982)
В.А. Самойлов, В.Я. Принц. ПТЭ, вып. 5, 178 (1985)
Н.А. Якушева. \it Тез. докл. VI Всес. конф. по физ.-хим. основам легирования полупроводниковых материалов (М., Наука, 1988), с. 51
G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., \bf 13, 191 (1977)
A. Mitonneau, A. Mircea, G.M. Martin, D. Pons. Rev. Phys. Appl., \bf 14, 853 (1979)
W.C. Mitchel, P.W. Yu. J. Appl. Phys., 62, 4781 (1987)
R.Yakimova, P. Omling, B.H. Yang, L. Samuelson, J.-O. Fornell, L. Ledebo. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 1323 (1991)
J.F. Wager, J.A. van Vechten. Phys. Rev. B, \bf 35, 2330 (1987)
Zhao-Qiang Fang, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., \bf 61, 5047 (1987)
В.А. Самойлов, Н.А. Якушева, В.Я. Принц. \it Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников (Киев, 1990), ч. 1, с. 275
M. Baeumler, F. Fuchs, U. Kaufmann. Phys. Rev. B, \bf 40, 8072 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель