Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, полученном жидкофазной эпитаксией из расплава висмута
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 3 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.
Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние легирования эпитаксиального арсенида галлия, выращенного из расплава висмута, изовалентной примесью Sb на спектр дефектов с глубокими уровнями. Обнаружено, что в дополнение к характерным для данных условий роста электронным ловушкам EL2 (Ec-0.79 эВ) и EL5 (Ec-0.41 эВ) при легировании сурьмой вводятся новые дефекты ELSb (Ec-0.53 эВ), концентрация которых возрастает с ростом уровня легирования более чем на 3 порядка. При содержании сурьмы в кристалле порядка 1 ат% концентрация уровней EL5 уменьшается на несколько порядков, а концентрация уровней EL2 возрастает в 3-4 раза. Сечения захвата электронов на уровни EL2 и ELSb мало отличаются в широком диапазоне температур 77-300 K. Результаты хорошо объяснимы, если считать, что уровень ELSb обусловлен дефектом Sb Ga, а уровень EL5 - дивакансией V Ga-V As.
- В.К. Баженов, В.И. Фистуль. ФТП, 18, 1345 (1984)
- В.Я. Принц, Е.Х. Хайри, В.А. Самойлов, Ю.В. Болховитянов. ФТП, \bf 20, 1392 (1986)
- С.Б. Евгеньев, Н.В. Ганина. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 20, 561 (1984)
- N.A. Yakusheva, V.Ya. Prinz, Yu.B. Bolkhovityanov. Phys. St. Sol. (a), \bf 95, K43 (1986)
- N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegaj. Cryst. Res. Techn., \bf 24, 235 (1989)
- Н.А. Якушева, С.И. Чикичев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., \bf 23, 1607 (1987)
- R.E. Nahory, M.A. Pollack, J.C. De Winter, K.M. Williams. J. Appl. Phys., \bf 48, 1607 (1977)
- В.И. Усик. А.с. СССР N 924634, БИ, вып. 6 (1982)
- В.А. Самойлов, В.Я. Принц. ПТЭ, вып. 5, 178 (1985)
- Н.А. Якушева. \it Тез. докл. VI Всес. конф. по физ.-хим. основам легирования полупроводниковых материалов (М., Наука, 1988), с. 51
- G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., \bf 13, 191 (1977)
- A. Mitonneau, A. Mircea, G.M. Martin, D. Pons. Rev. Phys. Appl., \bf 14, 853 (1979)
- W.C. Mitchel, P.W. Yu. J. Appl. Phys., 62, 4781 (1987)
- R.Yakimova, P. Omling, B.H. Yang, L. Samuelson, J.-O. Fornell, L. Ledebo. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 1323 (1991)
- J.F. Wager, J.A. van Vechten. Phys. Rev. B, \bf 35, 2330 (1987)
- Zhao-Qiang Fang, T.E. Schlesinger, A.G. Milnes. J. Appl. Phys., \bf 61, 5047 (1987)
- В.А. Самойлов, Н.А. Якушева, В.Я. Принц. \it Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников (Киев, 1990), ч. 1, с. 275
- M. Baeumler, F. Fuchs, U. Kaufmann. Phys. Rev. B, \bf 40, 8072 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
